“Semicera” tarapyndan öndürilen “High Purity CVD SiC çig mal” ýokary ýylylyk durnuklylygyny, gatylygyny we elektrik aýratynlyklaryny talap edýän ýokary öndürijilikli programmalarda ulanmak üçin döredilen ösen materialdyr. Qualityokary hilli himiki bug çökdürilişinden (CVD) kremniy karbidden öndürilen bu çig mal ýokary arassalygy we yzygiderliligi üpjün edýär, ýarymgeçiriji öndürmek, ýokary temperaturaly örtükler we beýleki takyk önümçilik goşundylary üçin amatly edýär.
“Semicera” -yň ýokary arassalygy CVD SiC çig mal, iň talap edilýän şertlerde-de ygtybarly işlemegi üpjün edip, geýmäge, okislenmäge we termiki zarba garşy ajaýyp garşylygy bilen tanalýar. Icarymgeçiriji enjamlary, abraziw gurallary ýa-da ösen örtükleri öndürmekde ulanylsa-da, bu material iň ýokary arassalygy we takyklygy talap edýän ýokary öndürijilikli programmalar üçin berk binýady üpjün edýär.
“Semicera” -nyň ýokary arassalygy CVD SiC çig mal bilen öndürijiler ýokary önümiň hiline we amaly netijeliligine ýetip bilerler. Bu material, elektronikadan başlap, energiýa çenli birnäçe pudaklary goldaýar, çydamlylygy we öndürijiligini hödürleýär.
Semicera ýokary arassalygy CVD kremniy karbid çig malynyň aşakdaky aýratynlyklary bar:
▪Purokary arassalyk:enjamyň ygtybarlylygyny üpjün edýän gaty pes haramlyk mazmuny.
▪Cryokary kristallylyk:enjamyň işleýşini gowulandyrmaga amatly kristal gurluşy.
▪Pes kemçilik dykyzlygy:az sanly kemçilik, enjamyň syzyş tokyny azaldýar.
▪Uly ululygy:dürli müşderileriň isleglerini kanagatlandyrmak üçin uly göwrümli kremniy karbid substratlary üpjün edilip bilner.
▪Custöriteleşdirilen hyzmat:Silikon karbid materiallarynyň dürli görnüşleri we aýratynlyklary müşderiniň isleglerine görä düzülip bilner.
Önümiň artykmaçlyklary
Band Giň zolak:Silikon karbid, ýokary temperatura, ýokary basyş we ýokary ýygylyk ýaly agyr şertlerde ajaýyp öndürijilige mümkinçilik berýän giň zolakly häsiýetlidir.
▪Breakokary naprýa .eniýe naprýa: eniýesi:Silikon karbid enjamlary has ýokary bölüniş naprýa .eniýesine eýe we has ýokary güýç enjamlaryny öndürip biler.
▪Termokary ýylylyk geçirijiligi:Silikon karbid enjamyň ýylylyk ýaýramagyna amatly ýylylyk geçirijiligine eýedir.
▪Electrokary elektron hereketi:Silikon karbid enjamlary, enjamyň işleýiş ýygylygyny artdyryp biljek has ýokary elektron hereketine eýe.
