Purokary arassalyk SiC Carrier / Susceptor

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid göteriji disk, şeýle hem, SIK lýuboý, kremniy karbid egriji disk, ICP çykaryjy disk hökmünde hem bellidir. LED efirlemek üçin kremniy karbid lagasy (SiC tarelka) 00600mm çuň kremniniň dökülmegi üçin ýörite aksessuar (ICP eting maşyn).

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

Silikon karbid keramikasy, ýokary güýç, ýokary gatylyk, ýokary elastik modul we ş.m. ýaly otag temperaturasynda ajaýyp mehaniki aýratynlyklara eýedir, şeýle hem ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti we ýokary berkligi we optiki ýaly ýokary temperatura durnuklylygyna eýe. gaýtadan işlemek.
Esasan SiC daşaýjy / duýgur, SiC wafli gaýygy, sorujy disk, suw sowadyjy plastinka, takyk ölçeýji reflektor, örtük we beýleki keramiki gurluş bölekleri ýaly litografiýa maşynlary ýaly toplumlaýyn zynjyr enjamlary üçin takyk keramiki bölekleri öndürmek üçin has amatlydyr.

daşaýjy2

daşaýjy3

daşaýjy4

Üstünlikleri

Temperatureokary temperatura garşylygy: 1800 at-da adaty ulanmak
Termokary ýylylyk geçirijiligi: grafit materialyna deňdir
Hardokary gatylyk: gatylyk göwherden, bor nitridinden soň ikinji ýerde durýar
Poslama garşylyk: güýçli kislota we aşgar oňa poslama ýok, poslama garşylyk volfram karbidinden we alýuminden has gowudyr.
Lighteňil agram: pes dykyzlyk, alýumine ýakyn
Deformasiýa ýok: ýylylyk giňelişiniň pes koeffisiýenti
Malylylyk zarbasyna garşylyk: ýiti temperaturanyň üýtgemegine garşy durup biler, termiki zarba garşy durup biler we durnukly öndürijiligine eýe bolup biler
Icarymgeçiriji CVD, wakuum tüýkürmek we ş.m. ýaly kremniy karbid göterijisi, ICC efirleýji duýgur, giňden ulanylýar, dürli amaly ýerine ýetirmek üçin müşderilere kremniniň we kremniniň karbid materiallarynyň ýöriteleşdirilen waf göterijileri bilen üpjün edip bileris.

Üstünlikleri

Emläk	Gymmatlyk	Usul
Dykyzlygy	3.21 g / cc	Suwa ýüzmek we ölçeg
Aýratyn ýylylyk	0.66 J / g ° K.	Pulsirlenen lazer çyrasy
Fleksural güýç	450 MPa560 MPa	4 nokat egilmek, RT4 nokat egilmek, 1300 °
Döwük berkligi	2.94 MPa m1 / 2	Mikroindentasiýa
Gatylyk	2800	Wikeriň, 500 gr
Elastik ModulusYoung moduly	450 GPa430 GPa	4 egilme, RT4 p egilmek, 1300 ° C.
Dänäniň ululygy	2 - 10 µm	SEM

Kompaniýanyň tertibi

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ösen ýarymgeçiriji keramikany öňdebaryjy üpjün ediji we Hytaýda bir wagtyň özünde ýokary arassa kremniy karbid keramikasyny (esasanam gaýtadan dikeldilen SiC) we CVD SiC örtügini üpjün edip biljek ýeke-täk öndüriji. Mundan başga-da, kompaniýamyz alýumin, alýumin nitrit, sirkoniýa we kremniý nitrid ýaly keramiki meýdanlara ygrarly.

Esasy önümlerimiz: kremniy karbid ekiş diski, kremniy karbid gaýyk gämisi, kremniy karbid wafli gaýygy (Fotowoltaik we ýarymgeçiriji), kremniy karbid peç turbasy, kremniy karbid kantilwer paddeli, kremniy karbid çukurlary, kremniy karbid şöhlesi, şeýle hem CVD SiC örtük we TaC örtük. Esasan ýarymgeçiriji we fotoelektrik pudaklarynda ulanylýan önümler, meselem, hrustal ösmek üçin enjamlar, epitaksiýa, efirlemek, gaplamak, örtük we diffuziýa peçleri we ş.m.
hakda (2)