Purokary arassalyk SiC Poroşok

Purokary arassalykly SiC Poroşokly aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Semicera tarapyndan öndürilen ýokary arassalykly SiC Pudrasy, ýokary derejeli uglerod we kremniniň düzümine eýe, arassalygy 4N-den 6N aralygynda. Nanometrlerden mikrometrlere çenli bölejikleriň ululyklary bilen, belli bir ýerüsti meýdany bar. “Semicera” -yň SiC tozy, ösen material goşundylary üçin amatly reaktiwligi, dispersiýany we ýerüsti işjeňligi güýçlendirýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid (SiC)Esasanam giň zolakly programmalarda elektron bölekleri üçin kremniden has ileri tutulýan saýlama öwrülýär. SiC güýçlendirilen güýç netijeliligini, ykjam ululygyny, agramyny azaltmagy we umumy ulgam çykdajylaryny peseltmegi hödürleýär.

Elektronika we ýarymgeçiriji pudaklarynda ýokary arassa SiC tozanlaryna bolan isleg Semicera-ny ýokary ýokary arassalygy ösdürmäge iterdiSiC poroşok. Eceokary arassa SiC öndürmek üçin “Semicera” -nyň innowasion usuly, morfologiýanyň has üýtgemelerini, materiallaryň has haýal sarp edilmegini we kristal ösüş sazlamalarynda has durnukly ösüş interfeýslerini görkezýän tozanlara sebäp bolýar.

Highokary arassalygymyz SiC poroşokymyz dürli ululykda bar we müşderiniň aýratyn talaplaryna laýyklaşdyrylyp bilner. Has giňişleýin maglumat we taslamaňyzy ara alyp maslahatlaşmak üçin Semicera bilen habarlaşmagyňyzy haýyş edýäris.