Gaty CVD SILICON CARBIDE bölekleri, RTP / EPI halkalary we esaslary we ýokary ulgamda işleýän iş temperaturasynda (> 1500 ℃) işleýän plazma boşluk bölekleri üçin esasy saýlaw hökmünde ykrar edilýär, arassalyga bolan talaplar has ýokary (> 99.9995%) we himiki serişdelere garşylyk aýratyn ýokary bolanda öndürijilik aýratyn gowydyr. Bu materiallarda däne gyrasynda ikinji derejeli fazalar ýok, şonuň üçin olaryň düzüm bölekleri beýleki materiallara garanyňda az bölejikleri öndürýär. Mundan başga-da, bu komponentleri az zaýalanmak bilen gyzgyn HF / HCl ulanyp arassalap bolýar, netijede bölejikler az bolýar we ömrüň uzak bolýar.
