“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Pureokary arassa tantal uglerod bilen örtülen halkalar howa we himiýa, ýarymgeçiriji önümçiligi we beýleki pudaklarda ýörite enjamlarda we ulgamlarda giňden ulanylýar. Adatça ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde möhürlemek we geçirmek, ygtybarly öndürijiligi we uzak ömri üpjün etmek, enjamlaryň durnukly işlemegini we önümiň hilini üpjün etmek üçin ulanylýar.
Highokary arassa tantal uglerod bilen örtülen halkalaryň aýratynlyklary aşakdakylar:
1.
2.
3.
4. Ajaýyp möhürleme öndürijiligi: purokary arassa tantal uglerod bilen örtülen halkalar gowy möhürleýiş ýerine ýetirijiligine eýedir, gazyň ýa-da suwuklygyň syzmagynyň öňüni alyp biler we ýokary möhür talaplary bolan amaly senariler üçin amatlydyr.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
