Tantal karbid bilen örtülen wafli siňdiriji

Gysga düşündiriş:

Tantal karbid örtügi, tantal karbid materialyny ulanyp, aşaky gatlagyň üstünde gaty, aşaga we poslama garşy gorag gatlagyny emele getirýär. Bu örtük, sürtülmäni we könelmegi azaltmak bilen materialyň gatylygyny, ýokary temperatura garşylygyny we himiki garşylygyny ep-esli ýokarlandyrýan ajaýyp häsiýetlere eýedir. Tantal karbid örtükleri maddy ömri uzaltmak, önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaltmak üçin senagat önümçiligi, aerokosmos, awtoulag in engineeringenerçiligi we lukmançylyk enjamlary ýaly dürli ugurlarda giňden ulanylýar. Metal ýüzleri poslama garşy goramakmy ýa-da mehaniki bölekleriň könelmegine we okislenme garşylygyny ýokarlandyrmak bolsun, tantal karbid örtükleri dürli programmalar üçin ygtybarly çözgüt berýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmak üçin, Semicera Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär

Singleeke kristalyň ösüşi üçin tak bölegi

Antiwear tantal karbid örtügi_ Enjamlary könelmekden we poslama garşy Aýratyn şekil

TaC örtükli ýüzükli grafit

bilen we TaC bilen

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, “Semicera” -yň TaC örtük önümleriniň hyzmat ediş möhleti, SiC örtüginden has ýokary we ýokary temperatura çydamlydyr. Laboratoriýa ölçeg maglumatlaryndan uzak wagtlap, TaC-ymyz iň köp 2300 dereje Selsiýada uzak wagtlap işläp biler. Aşakdaky käbir mysallarymyz: