InP we CdTe substraty

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -yň “InP” we “CdTe Substrate” çözgütleri ýarymgeçiriji we gün energiýasy pudaklarynda ýokary öndürijilikli programmalar üçin niýetlenendir. InP (Indium Fosphide) we CdTe (Cadmium Telluride) substratlarymyz ýokary netijelilik, ajaýyp elektrik geçirijiligi we berk ýylylyk durnuklylygy ýaly ajaýyp material aýratynlyklaryny hödürleýär. Bu substratlar öňdebaryjy optoelektron enjamlarynda, ýokary ýygylykly tranzistorlarda we inçe filmli gün öýjüklerinde ulanmak üçin amatlydyr, häzirki zaman tehnologiýalary üçin ygtybarly binýady üpjün edýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” bilenInP we CdTe substraty, önümçilik amallaryňyzyň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin döredilen ýokary hilli we takyklyga garaşyp bilersiňiz. Fotowoltaik programmalar ýa-da ýarymgeçiriji enjamlar üçin bolsun, substratlarymyz iň amatly öndürijiligi, çydamlylygy we yzygiderliligi üpjün etmek üçin ýasaldy. Ygtybarly üpjün ediji hökmünde “Semicera” elektronikada we täzelenip bilýän energiýa pudaklarynda täzeliklere itergi berýän ýokary hilli, özleşdirilip bilinýän substrat çözgütleri bermäge borçlanýar.

Kristal we elektrik aýratynlyklary1

Görnüşi
Dopant
EPD (sm–2Below Aşakda serediň)
DF Free Erkin) meýdany (sm2, B. aşakda serediň
c / (c sm–3
Mobilit cm y sm2/ Vs)
(Y Ω・ cm garşy dur
n
Sn
≦ 5 × 104
≦ 1 × 104
≦ 5 × 103
──────
 

(0.5〜6) × 1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10 (59,4%)
≧ 15 (87%). 4
(2〜10) × 1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10 (59,4%)
≧ 15 (87%).
(3〜6) × 1018
──────
──────
SI
Fe
≦ 5 × 104
≦ 1 × 104
──────
──────
──────
≧ 1 × 106
n
hiç
≦ 5 × 104
──────
≦ 1 × 1016
≧ 4 × 103
──────
1 Beýleki aýratynlyklar isleg boýunça elýeterlidir.

A.13 bal

1. Dislokasiýa çukurynyň dykyzlygy 13 nokatda ölçelýär.

2. Dislokasiýa dykyzlygynyň ortaça agramy hasaplanýar.

B.DF meýdany ölçemek (Sebit kepilligi ýagdaýynda)

1. Sag tarapda görkezilen 69 nokadyň ýerleşýän ýer çukurynyň dykyzlygy hasaplanýar.

2. DF 500 sm-den az EPD hökmünde kesgitlenýär–2
3. Bu usul bilen ölçelýän iň ýokary DF meýdany 17,25 sm2
InP we CdTe substraty (2)
InP we CdTe substraty (1)
InP we CdTe substraty (3)

InP leeke kristal substratlar umumy aýratynlyklary

1. ugrukdyrma
Faceerüsti ugrukdyrma (100) ± 0.2º ýa-da (100) ± 0.05º
Isleg boýunça ýerüsti ugrukdyryş elýeterlidir.
Kwartiranyň ugry: (011) ± 1º ýa-da (011) ± 0.1º IF: (011) ± 2º
Öçürilen isleg boýunça elýeterlidir.
2. SEMI standartyna esaslanýan lazer bellikleri bar.
3. Aýry-aýry paketler, şeýle hem N2 gazyndaky paket bar.
4. N2 gazyndaky “Etch-and-pack” bar.
5. Gönüburçly wafli bar.
Aboveokardaky spesifikasiýa JX standartyna degişlidir.
Beýleki aýratynlyklar zerur bolsa, bize ýüz tutmagyňyzy haýyş edýäris.

Ugrukdyrma

 

InP we CdTe substraty (4) (1)
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: