LiNbO3 Baglaýjy wafli

Gysga düşündiriş:

Lityum niobat kristalynyň ajaýyp elektro-optiki, akusto-optiki, piezoelektrik we çyzykly däl aýratynlyklary bar. Lityum niobat kristal gowy çyzykly optiki häsiýetlere we uly çyzykly optiki koeffisiýentine eýe bolan möhüm köpugurly kristaldyr; kritiki däl faza laýyklygyny hem gazanyp biler. Elektro-optiki kristal hökmünde möhüm optiki tolkun gorag materialy hökmünde ulanyldy; piezoelektrik kristal hökmünde orta we pes ýygylykly SAW süzgüçleri, ýokary güýçli ýokary temperatura çydamly ultrases geçiriji we ş.m. ýasamak üçin ulanylyp bilner, doply litiý niobat materiallary hem giňden ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -nyň “LiNbO3 Bonding Wafer” ösen ýarymgeçiriji önümçiliginiň ýokary isleglerini kanagatlandyrmak üçin döredildi. Iň ýokary eşik garşylygy, ýokary ýylylyk durnuklylygy we ajaýyp arassalygy ýaly ajaýyp aýratynlyklary bilen bu wafli takyklygy we uzak möhletli işlemegi talap edýän programmalarda ulanmak üçin amatlydyr.

Ondarymgeçiriji pudagynda LiNbO3 Baglaýjy wafli, adatça optoelektron enjamlarynda, datçiklerde we ösen IC-lerde inçe gatlaklary birikdirmek üçin ulanylýar. Ajaýyp dielektrik aýratynlyklary we agyr iş şertlerine garşy durmak ukyby sebäpli fotonika we MEMS (Mikro-Elektromehaniki ulgamlar) aýratyn baha berilýär. “Semicera” -nyň “LiNbO3 Bonding Wafer”, ýarymgeçiriji enjamlaryň umumy öndürijiligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyryp, takyk gatlak baglanyşygyny goldamak üçin döredildi.

LiNbO3-iň ýylylyk we elektrik aýratynlyklary
Ereýän nokat	1250 ℃
Kýuri temperaturasy	1140 ℃
Malylylyk geçirijiligi	38 W / m / K @ 25 ℃
Malylylyk giňeliş koeffisiýenti (@ 25 ° C)	//a，2.0£10^-6/ K. //c，2.2£10^-6/ K.
Çydamlylyk	2 × 10^-6Ω · cm @ 200 ℃
Dielektrik hemişelik	εS11 / ε0 = 43 ， εT11 / ε0 = 78 εS33 / ε0 = 28 ， 33T33 / ε0 = 2
Piezoelektrik hemişelik	D₂₂= 2.04 × 10^-11C / N. D₃₃= 19.22 × 10^-11C / N.
Elektro-optiki koeffisiýenti	γT₃₃= 32 agşam / V γ γS₃₃= 31 agşam / V ， γT₃₁= Agşam 10 / V ， γS₃₁= Agşam 8.6 / V ， γT₂₂= Agşam 6.8 / V γ γS₂₂= Agşam 3.4 / V ，
Wavearym tolkun naprýa .eniýesi Elektrik meýdany // z, ýagtylyk ⊥ Z; Elektrik meýdany // x ýa-da y, ýagtylyk ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Iň ýokary hilli materiallardan peýdalanyp, LiNbO3 baglanyşyk wafli, aşa agyr şertlerde-de yzygiderli ygtybarlylygy üpjün edýär. Highokary ýylylyk durnuklylygy, ýarymgeçirijiniň epitaksiýa proseslerinde bolşy ýaly ýokary temperatura bilen baglanyşykly şertler üçin aýratyn amatly edýär. Mundan başga-da, wafli ýokary arassalygy minimal hapalanmagy üpjün edýär we möhüm ýarymgeçiriji programmalar üçin ygtybarly saýlama bolýar.

“Semicera” -da, pudakda öňdebaryjy çözgütleri bermäge borçlanýarys. “LiNbO3 Bonding Wafer”, ýokary arassalygy, könelmegi we ýylylyk durnuklylygyny talap edýän programmalar üçin deňi-taýy bolmadyk berkligi we ýokary öndürijilikli mümkinçilikleri üpjün edýär. Öňdebaryjy ýarymgeçiriji önümçiligi ýa-da beýleki ýöriteleşdirilen tehnologiýalar üçin bolsun, bu wafli öňdebaryjy enjam öndürmek üçin möhüm komponent bolup hyzmat edýär.