Epitaksial ösüş üçin MOCVD Susseptor

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň iň soňky MOCVD epitaksial ösüş duýgurlary epitaksial ösüş prosesini öňe sürýär. Seresaplylyk bilen işlenip düzülen duýgurlarymyz, ýarymgeçiriji önümçiliginde takyk epitaksial ösüşi üpjün etmek üçin material çökgünligini optimizirlemek üçin niýetlenendir.

Takyklyga we hiline ünsi jemlän MOCVD epitaksial ösüş duýgurlary, Semicera-nyň ýarymgeçiriji enjamlarda kämillige ygrarlylygynyň subutnamasydyr. Her ösüş siklinde ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin Semicera-nyň tejribesine ynanyň.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

Epicexial Ösüş üçin MOCVD Susseptor, ýarymgeçiriji ösen programmalar üçin epitaksial ösüş prosesini optimallaşdyrmak üçin döredilen öňdebaryjy çözgüt. “Semicera” -yň MOCVD Susceptor, ýokary hilli Si Epitaxy we SiC Epitaxy gazanmak üçin iň amatly saýlama bolup, temperatura we material çökgünligine takyk gözegçiligi üpjün edýär. Onuň berk gurluşygy we ýokary ýylylyk geçirijiligi, epitaksial ösüş ulgamlary üçin zerur ygtybarlylygy üpjün edip, talap edilýän şertlerde yzygiderli işlemäge mümkinçilik berýär.

Bu MOCVD Susceptor, monokristally kremniniň önümçiligi we SiC Epitaxy-da GaN-iň ösmegi ýaly dürli epitaksial programmalar bilen utgaşykly bolup, ýokary derejeli netijeleri gözleýän öndürijiler üçin möhüm komponent bolýar. Mundan başga-da, PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier we RTP Carrier ulgamlary bilen yzygiderli işleýär, prosesiň netijeliligini we hasyllylygyny ýokarlandyrýar. Duýgurlyk, şeýle hem “LED Epitaxial Susceptor” programmalary we beýleki ösen ýarymgeçiriji önümçilik amallary üçin amatlydyr.

Köpugurly dizaýny bilen, ýarym önümiň MOCVD duýgurlygy, dürli önümçilik gurnamalarynda çeýeligi hödürläp, Pancake Susceptors we Barrel Susceptors-da ulanmak üçin uýgunlaşdyrylyp bilner. Fotowoltaik bölekleriň birleşmegi, ulanylyşyny hasam giňeldýär we ýarymgeçiriji we gün senagaty üçin amatly edýär. Bu ýokary öndürijilikli çözgüt, epitaksial ösüş proseslerinde uzak möhletli netijeliligi üpjün edip, ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny we berkligini üpjün edýär.

Esasy aýratynlyklary

1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit

2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi

3. Tekiz ýer üçin örtülen inçe SiC kristal

4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

SiC-CVD
Dykyzlygy (g / cc) 3.21
Fleksural güýç (Mpa) 470
Malylylyk giňelmesi (10-6 / K) 4
Malylylyk geçirijiligi (W / mK) 300

Gaplamak we eltip bermek

Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:

Mukdary (bölekler) 1 - 1000 > 1000
Est. Wagt (günler) 30 Gepleşik geçirmek
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: