TaC bilen örtülen grafit bölekleriniň ulanylyşy

Bölüm / 1

SiC we AIN ýeke kristal peçdäki çüýrük, tohum saklaýjy we gollanma halkasy PVT usuly bilen ösdürilip ýetişdirildi

2-nji suratda görkezilişi ýaly, SiC taýýarlamak üçin fiziki buglary daşamak usuly (PVT) ulanylanda, tohum kristaly has pes temperatura sebitinde, SiC çig maly has ýokary temperatura sebitinde (2400-den ýokary)℃) we çig mal SiXCy öndürmek üçin çüýräp başlaýar (esasanam Si, SiC₂, Si₂C we ş.m.). Bug fazasy materialy ýokary temperatura sebitinden pes temperatura sebitindäki tohum kristalyna daşalýar, ftohum ýadrolaryny orming, ösmek we ýeke kristal öndürmek. Bu amalda ulanylýan ýylylyk meýdan materiallary, wajyp, akym gollanma halkasy, tohum kristal saklaýjysy, ýokary temperatura çydamly bolmaly we SiC çig malyny we SiC ýekeje kristalyny hapalamaz. Şonuň ýaly-da, AlN ýeke kristallarynyň ösmeginde ýyladyş elementleri Al bugyna, N garşy durmalydyr₂poslama we ýokary elektiki temperatura bolmaly (bilen AlN) kristal taýýarlyk möhletini gysgaltmak.

SiC [2-5] we AlN [2-3] tarapyndan taýýarlanylandygy anyklandyTaC örtükligrafit termiki meýdan materiallary has arassa, uglerod (kislorod, azot) we beýleki hapalar ýok diýen ýaly, gyradaky kemçilikler, her sebitde has az garşylyk, mikroporyň dykyzlygy we çukuryň dykyzlygy ep-esli azaldy (KOH çykarylandan soň) we kristalyň hili ep-esli gowulaşdy. Mundan başga-da,TaC möhümhorlanmak derejesi nola deňdir, daşky görnüşi weýran ediji däl, gaýtadan işlenip bilner (200 sagada çenli ömri), şeýle ýekeje kristal taýýarlygyň dowamlylygyny we netijeliligini ýokarlandyryp biler.

FIG. 2. (a) PVT usuly bilen SiC ýeke kristal ingot ösýän enjamyň shemasy
(b) ýokarkyTaC örtüklitohum ýaýy (SiC tohumyny goşmak bilen)
(c)TAC bilen örtülen grafit gollanma halkasy

Bölüm / 2

MOCVD GaN epitaksial gatlak ösýän gyzdyryjy

3-nji (a) suratda görkezilişi ýaly, MOCVD GaN ösüşi bug epitaksial ösüşi bilen inçe filmleri ösdürip ýetişdirmek üçin organometrik bölüniş reaksiýasyny ulanyp, himiki bug çökdürmek tehnologiýasydyr. Çukurdaky temperaturanyň takyklygy we birmeňzeşligi gyzdyryjyny MOCVD enjamlarynyň iň möhüm ýadrosyna öwürýär. Substraty uzak wagtlap (yzygiderli sowadylanda) çalt we birmeňzeş gyzdyryp bolarmy, ýokary temperaturadaky durnuklylyk (gaz poslama garşylygy) we filmiň arassalygy filmiň hiline, galyňlygynyň yzygiderliligine gönüden-göni täsir eder, we çipiň öndürijiligi.

MOCVD GaN ösüş ulgamynda gyzdyryjynyň öndürijiligini we gaýtadan işleýiş netijeliligini ýokarlandyrmak üçin,TAC bilen örtülengrafit gyzdyryjy üstünlikli girizildi. Adaty gyzdyryjy (pBN örtük ulanyp) ösdürip ýetişdirýän GaN epitaksial gatlagy bilen deňeşdirilende, TaC gyzdyryjy tarapyndan ösdürilip ýetişdirilen GaN epitaksial gatlagy kristal gurluşy, galyňlygy birmeňzeşligi, içki kemçilikler, haramlyk doping we hapalanma diýen ýalydyr. Mundan başga-daTaC örtükpes garşylygy we pes ýerüsti duýgurlygy bar, bu gyzdyryjynyň netijeliligini we birmeňzeşligini ýokarlandyryp biler, şeýlelik bilen energiýa sarp edilişini we ýylylygyň ýitmegini azaldyp biler. Örtügiň gözenekliligi, gyzdyryjynyň radiasiýa aýratynlyklaryny hasam gowulandyrmak we hyzmat möhletini uzaltmak üçin proses parametrlerine gözegçilik etmek arkaly sazlanyp bilner [5]. Bu artykmaçlyklar edýärTaC örtükligrafit gyzdyryjylar MOCVD GaN ösüş ulgamlary üçin ajaýyp saýlaw.

FIG. 3. (A) GaN epitaksial ösmegi üçin MOCVD enjamynyň shemasy
(b) MOCVD gurnamasynda gurnalan TAC bilen örtülen grafit gyzdyryjy, esasy we ýaýdan başga (ýyladyşda esasy we ýaýy görkezýän surat)
(c) 17 GaN epitaksial ösüşden soň TAC bilen örtülen grafit gyzdyryjy. [6]

Bölüm / 3

Epitaksi üçin örtülen duýgur (wafli göteriji)

Wafli daşaýjy, SiC, AlN, GaN we beýleki üçünji derejeli ýarymgeçiriji wafli we epitaksial wafli ösüşi üçin möhüm gurluş düzüm bölegi. Wafli göterijileriň köpüsi grafitden ýasalýar we epitaksial temperatura diapazony 1100-1600 aralygynda, gazlaryň poslamagyna garşy durmak üçin SiC örtük bilen örtülendir.°C, gorag örtüginiň poslama garşylygy wafli göterijiniň durmuşynda möhüm rol oýnaýar. Netijeler, ýokary temperaturaly ammiakda TaC-nyň poslama derejesiniň SiC-den 6 esse haýaldygyny görkezýär. Temperatureokary temperaturaly wodorodda poslama derejesi SiC-den 10 esse haýaldyr.

TaC bilen örtülen gap-gaçlaryň gök çyra GaN MOCVD prosesinde oňat gabat gelýändigini we hapalary girizmeýändigi synaglar arkaly subut edildi. Çäklendirilen amal düzedişlerinden soň, TaC göterijileriniň kömegi bilen ösdürilip ýetişdirilen lentalar adaty SiC göterijileri bilen deň öndürijiligi we birmeňzeşligi görkezýär. Şonuň üçin TAC bilen örtülen paletleriň hyzmat möhleti ýalaňaç daş syýa garanyňda has gowy weSiC örtükligrafit paletleri.