Tantal karbid bilen örtülen grafit halkasy

Gysga düşündiriş:

Tantal karbid örtügi, tantal karbid materialyny ulanyp, aşaky gatlagyň üstünde gaty, aşaga we poslama garşy gorag gatlagyny emele getirýär.Bu örtük, sürtülme we könelmegi azaltmak bilen materialyň gatylygyny, ýokary temperatura garşylygyny we himiki garşylygyny ep-esli ýokarlandyrýan ajaýyp häsiýetlere eýedir.Tantal karbid örtükleri maddy ömri uzaltmak, önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaltmak üçin senagat önümçiligi, aerokosmos, awtoulag in engineeringenerçiligi we lukmançylyk enjamlary ýaly dürli ugurlarda giňden ulanylýar.Metal ýüzleri poslama garşy goramakmy ýa-da mehaniki bölekleriň könelmegine we okislenme garşylygyny ýokarlandyrmak bolsun, tantal karbid örtükleri dürli amaly programmalar üçin ygtybarly çözgüt berýär.

 


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.Semicera Semicera öňdebaryjy örtük prosesi, tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak.Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen.SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir.Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem ýekeje hrustal ösmek üçin Simiceranyň bölekleri deňeşdirilýär

微 信 图片 _20240227150045

bilen we TaC bilen

微 信 图片 _20240227150053

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, “Semicera” -yň TaC örtük önümleriniň hyzmat ediş möhleti, SiC örtüginden has ýokary we ýokary temperatura çydamlydyr.Laboratoriýa ölçeg maglumatlaryndan uzak wagtlap, TaC-ymyz iň köp 2300 dereje Selsiýada uzak wagtlap işläp biler.Aşakdaky käbir mysallarymyz:

微 信 截图 _20240227145010

(a) PVT usuly bilen SiC ýeke-täk kristal ingot ösýän enjamyň shemasy

ZDFVzCFV
Esasy aýratynlygy
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: