Ondarymgeçiriji önümçilik prosesinde,çişirmektehnologiýa, çylşyrymly zynjyr nagyşlaryny emele getirmek üçin substratdaky islenmeýän materiallary takyk aýyrmak üçin ulanylýan möhüm prosesdir. Bu makalada iki sany esasy akym tehnologiýasy jikme-jik hödürlener - kuwwatly birleşdirilen plazma eti (CCP) we induktiw birleşdirilen plazma ().ICP) we dürli materiallary gözlemekde olaryň ulanylyşyny öwreniň.
Potensial taýdan birleşdirilen plazma (CCP)
Potensial taýdan birleşdirilen plazma dykylmagy (CCP), bir naprýa .eniýe we DC bloklaýjy kondensator arkaly iki sany paralel plastinka elektrodyna RF naprýa .eniýesini ulanmak arkaly gazanylýar. Iki elektrod we plazma bilelikde ekwiwalent kondensator emele getirýär. Bu amalda, RF naprýa .eniýesi elektrodyň golaýynda kuwwatly gaby emele getirýär we naprýa .eniýäniň çalt yrgyldamasy bilen gabygyň araçägi üýtgeýär. Elektronlar çalt üýtgeýän gabyga ýetenlerinde şöhlelenýärler we energiýa alýarlar, bu bolsa öz gezeginde gaz molekulalarynyň bölünmegine ýa-da plazma emele gelmegine sebäp bolýar. CCP çykarylyşy, adatça, dielektrik ýaly has ýokary himiki baglanyşyk energiýasy bolan materiallara ulanylýar, ýöne peseliş tizligi sebäpli, gowy gözegçiligi talap edýän programmalar üçin amatly.
Induktiw birleşdirilen plazma eti (ICP)
Induktiw birleşdirilen plazmaçişirmek(ICP) üýtgeýän tok, induksiýa magnit meýdany döretmek üçin rulondan geçýär diýen ýörelge esaslanýar. Bu magnit meýdanynyň täsiri astynda reaksiýa kamerasyndaky elektronlar tizlenýär we induksiýa elektrik meýdanynda çaltlaşmagyny dowam etdirýär, netijede reaksiýa gaz molekulalary bilen çaknyşyp, molekulalaryň bölünmegine ýa-da ionlaşmagyna we plazma emele gelmegine sebäp bolýar. Bu usul ýokary ionlaşdyrma derejesini öndürip biler we plazmanyň dykyzlygyny we bombalanmak energiýasyny özbaşdak sazlamaga mümkinçilik bererICP çyzgysySilikon we metal ýaly pes himiki baglanyşyk energiýasy bolan materiallary çykarmak üçin örän amatly. Mundan başga-da, ICP tehnologiýasy has gowy birmeňzeşligi we dykyzlygy üpjün edýär.
1. Metaldan ýasalan
Metaldan ýasamak, esasan, özara baglanyşyklary we köp gatly metal simleri gaýtadan işlemek üçin ulanylýar. Onuň talaplary aşakdakylary öz içine alýar: ýokary dykyzlyk derejesi, ýokary seçimlilik (maska gatlagy üçin 4: 1-den uly we aralyk dielektrik üçin 20: 1-den uly), ýokary derejeli birmeňzeşlik, gowy kritiki ölçeg gözegçiligi, plazma zeper ýetmezligi, galyndy hapalary az we metalda poslama ýok. Metal çaýkamak, adatça induktiw birleşdirilen plazma arassalaýjy enjamlary ulanýar.
•Alýumin öndürmek: Alýuminiý pes garşylyk, aňsat çöketlik we eriş artykmaçlyklary bilen çip öndürmegiň orta we arka döwürlerinde iň möhüm sim materialydyr. Alýumin öndürmek, adatça hlorid gazyndan emele gelen plazmany ulanýar (Cl2 ýaly). Alýumin üýtgäp durýan alýumin hloridi (AlCl3) öndürmek üçin hlor bilen reaksiýa berýär. Mundan başga-da, adaty çişmegi üpjün etmek üçin alýumin üstündäki oksid gatlagyny aýyrmak üçin SiCl4, BCl3, BBr3, CCl4, CHF3 we beýleki halidler goşulyp bilner.
• Volframyň dökülmegi: Köp gatly metal simleriň özara baglanyşyk gurluşlarynda wolfram çipiň orta böleginiň birleşmegi üçin ulanylýan esasy metaldyr. Metal wolframy çykarmak üçin ftor esasly ýa-da hlor esasly gazlar ulanylyp bilner, ýöne ftor esasly gazlar kremniniň oksidi üçin pes seçimlilige eýe, hlor esasly gazlar (CCl4 ýaly) has gowy saýlanýar. Azot, ýokary ýelim seleksiýasyny almak üçin reaksiýa gazyna, uglerodyň saklanmagyny azaltmak üçin kislorod goşulýar. Volframy hlor esasly gaz bilen çykarmak, anizotrop çişmegine we ýokary seçimliligine ýetip biler. Volframyň gury erişinde ulanylýan gazlar esasan SF6, Ar we O2 bolup, olaryň arasynda florid öndürmek üçin himiki reaksiýa üçin ftor atomlaryny we wolframy üpjün etmek üçin SF6 plazmada dargap biler.
• Titan nitridiň emele gelmegi: Titan nitrid, gaty maska materialy hökmünde, goşa damasken prosesinde adaty kremniý nitridi ýa-da oksid maskasyny çalyşýar. Titan nitridiň emele gelmegi esasan gaty maskany açmak prosesinde ulanylýar we esasy reaksiýa önümi TiCl4. Adaty maska bilen pes k dielektrik gatlagynyň arasyndaky seçimlilik ýokary däl, bu pes k dielektrik gatlagynyň ýokarsynda ýaý şekilli profiliň peýda bolmagyna we dykylansoň çukur giňliginiň giňelmegine sebäp bolar. Goýlan metal çyzyklaryň arasyndaky aralyk gaty az, köpriniň syzmagyna ýa-da göni döwülmegine ýykgyn edýär.
2. izolýator
Izolýatoryň emele gelmegi, adatça kremniniň dioksidi ýa-da kremniý nitrid ýaly dielektrik materiallary bolup, dürli zynjyr gatlaklaryny birleşdirmek üçin kontakt deşiklerini we kanal deşiklerini döretmek üçin giňden ulanylýar. Dielektrik çişme, adatça kuwwatly birleşdirilen plazma efir ýörelgesine esaslanýar.
• Silikon dioksid filminiň plazma görnüşi: Silikon dioksid plyonkasy, adatça CF4, CHF3, C2F6, SF6 we C3F8 ýaly ftorly gazlary öz içine alýar. Dökýän gazyň düzümindäki uglerod, CO we CO2 önümlerini öndürmek üçin oksid gatlagyndaky kislorod bilen täsir edip biler we şeýlelik bilen oksid gatlagynda kislorody aýryp biler. CF4 iň köp ulanylýan gaz gazydyr. CF4 ýokary energiýaly elektronlar bilen çaknyşanda dürli ionlar, radikallar, atomlar we erkin radikallar öndürilýär. Ftor erkin radikallar üýtgäp durýan kremniý tetrafluoridi (SiF4) öndürmek üçin SiO2 we Si bilen himiki taýdan reaksiýa berip biler.
• Silikon nitrid filminiň plazma görnüşi: Silikon nitrit filmi, CF4 ýa-da CF4 garyşyk gaz bilen (O2, SF6 we NF3 bilen) plazma etini ulanyp bolýar. Si3N4 filmi üçin, CF4-O2 plazmasy ýa-da F atomyny öz içine alýan beýleki gaz plazmasy ulanylanda, kremniý nitridiň emele geliş tizligi 1200Å / min, ekiş seçimi 20: 1-e çenli bolup biler. Esasy önüm, çykarmak aňsat kremniý tetrafluoriddir (SiF4).
4. leeke kristal kremniniň emele gelmegi
Cryeke kristal kremniniň emele gelmegi esasan çuň garym izolýasiýasyny (STI) emele getirýär. Bu amal, adatça, öňe gidişligi we esasy eti öz içine alýar. Öňe gidişlik, güýçli ion bombalanmagy we ftor elementleriniň himiki täsiri arkaly ýeke kristal kremniniň üstündäki oksid gatlagyny aýyrmak üçin SiF4 we NF gazyny ulanýar; esasy eriş esasy wodorod bromidi (HBr) ulanýar. Plazma gurşawynda HBr tarapyndan dargadylan brom radikallary kremniý bilen täsir edip, üýtgäp durýan kremniý tetrabromidi (SiBr4) emele getirýär we şeýlelik bilen kremnini aýyrýar. Cryeke kristal kremniniň dykylmagy, adatça induktiw birleşdirilen plazma arassalaýjy maşyny ulanýar.
5. Polisilikon çişmesi
Polisilikon dykylmagy tranzistorlaryň derwezäniň ululygyny kesgitleýän esasy proseslerden biridir we derwezäniň ululygy integral zynjyrlaryň işleýşine gönüden-göni täsir edýär. Polisilikonyň emele gelmegi gowy saýlama gatnaşygyny talap edýär. Hlor (Cl2) ýaly galogen gazlar, adatça anizotrop çişmegine ýetmek üçin ulanylýar we gowy saýlama gatnaşygy bar (10: 1 çenli). Wodorod bromidi (HBr) ýaly brom esasly gazlar has ýokary saýlama gatnaşygyny alyp biler (100: 1 çenli). HBr-iň hlor we kislorod bilen garyndysy, garyş tizligini ýokarlandyryp biler. Galogen gazyň we kremniniň reaksiýa önümleri gorag roluny oýnamak üçin gyralara ýerleşdirilýär. Polisilikon dykylmagy, adatça, induktiw birleşdirilen plazma arassalaýjy maşyny ulanýar.
Potensial taýdan birleşdirilen plazma ýa-da induktiw birleşdirilen plazma çişmesi bolsun, hersiniň özboluşly artykmaçlyklary we tehniki aýratynlyklary bar. Gabat gelýän tehnologiýany saýlamak diňe bir önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrman, eýsem ahyrky önümiň hasyllylygyny hem üpjün edip biler.
Iş wagty: Noýabr-12-2024