“LED” senagatynda ICP çykarmak prosesleri üçin “SiC pin” gaplary

“LED” senagatynda “ICP” emele getiriş amallary üçin “SiC pin” gaplary

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid, ýokary çykdajyly we ajaýyp material aýratynlyklary bolan keramikanyň täze görnüşidir.Strengthokary güýç we gatylyk, ýokary temperatura garşylyk, uly ýylylyk geçirijiligi we himiki poslama garşylyk ýaly aýratynlyklar sebäpli Silikon Karbid ähli himiki serişdelere çydap bilýär.Şonuň üçin SiC nebit çykarmakda, himiýada, tehnikada we howa giňişliginde giňden ulanylýar, hatda ýadro energiýasy we harby güýçleriň SIK-e aýratyn talaplary bar.

Örän ýokary hilli we amatly wagt bilen aýratyn ölçegleriňize görä dizaýn we öndürip bilýäris.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önümiň beýany

Kompaniýamyz, grafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär.

Esasy aýratynlyklary:

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:

oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.

2. purokary arassalygy: ýokary temperatura hlorlaşma şertinde himiki bug çökdürilmegi bilen öndürilýär.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.

4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD häsiýetleri
Kristal gurluş	FCC β tapgyry
Dykyzlygy	g / sm ³	3.21
Gatylyk	Wikers gatylygy	2500
Galla ölçegi	μm	2 ~ 10
Himiki arassalyk	%	99.99995
Atylylyk kuwwaty	J · kg-1 · K-1	640
Sublimasiýa temperaturasy	℃	2700
Felexural güýç	MPa (RT 4 bal)	415
Youngaş modul	Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃)	430
Malylylyk giňelişi (CTE)	10-6K-1	4.5
Malylylyk geçirijiligi	(W / mK)	300