Häzirki wagtda SiC örtüginiň taýýarlanyş usullary esasan gel-sol usuly, ornaşdyrmak usuly, çotga örtük usuly, plazma pürkmek usuly, himiki gaz reaksiýa usuly (CVR) we himiki buglary çökdürmek usuly (CVD) öz içine alýar.
Goýmak usuly:
Bu usul, esasan, Si poroşokynyň we C poroşokynyň garyndysyny içerde tozan hökmünde ulanýar, grafit matrisa oturdylan poroşokda we ýokary temperatura sintezi inert gazynda amala aşyrylýar. we ahyrynda grafit matrisanyň üstünde SiC örtügi alynýar.Amal ýönekeý we örtük bilen substratyň arasyndaky utgaşyklyk gowy, ýöne galyňlygyň ugry boýunça örtügiň birmeňzeşligi pes, bu has köp deşik öndürmek aňsat we okislenme garşylygy pes.
Çotga örtük usuly:
Çotganyň örtügi usuly, esasan, grafit matrisanyň üstündäki suwuk çig maly ýuwmak, soňra örtügi taýýarlamak üçin çig maly belli bir temperaturada bejermekdir.Amal ýönekeý we gymmaty pes, ýöne çotga örtügi usuly bilen taýýarlanan örtük substrat bilen utgaşdyrylanda gowşak, örtügiň birmeňzeşligi pes, örtük inçe we okislenme garşylygy pes we kömek etmek üçin beýleki usullar zerurdyr Bu.
Plazma sepmek usuly:
Plazma pürkmek usuly, esasan, eredilen ýa-da ýarym eredilen çig mallary grafit matrisanyň ýüzüne plazma ýaragy bilen sepmek, soňra berkitmek we örtük emele getirmekdir.Usul işlemek ýönekeý we has dykyz kremniy karbid örtügini taýýarlap bilýär, ýöne usul bilen taýýarlanan kremniy karbid örtügi köplenç gaty gowşak we oksidlenmäniň gowşaklygyna sebäp bolýar, şonuň üçin gowulaşmak üçin SiC kompozit örtügini taýýarlamak üçin ulanylýar. örtügiň hili.
Gel-sol usuly:
Gel-sol usuly, esasan, matrisanyň ýüzüni örtýän birmeňzeş we aç-açan ergin taýýarlamak, jele guratmak we örtük almak üçin sinterlemekdir.Bu usul işlemek ýönekeý we gymmaty pes, ýöne öndürilen örtükde pes termiki zarba garşylygy we ýeňil döwülmegi ýaly käbir kemçilikler bar, şonuň üçin ony giňden ulanyp bolmaýar.
Himiki gaz reaksiýasy (CVR):
CVR esasan Si we SiO2 poroşokyny ulanyp, ýokary temperaturada SiO bugyny emele getirýär we C material substratynyň üstünde birnäçe himiki reaksiýa ýüze çykýar.Bu usul bilen taýýarlanan SiC örtügi substrat bilen berk baglanyşykly, ýöne reaksiýanyň temperaturasy has ýokary we bahasy has ýokary.
Himiki bug çöketligi (CVD):
Häzirki wagtda CVD substratyň üstünde SiC örtügini taýýarlamagyň esasy tehnologiýasydyr.Esasy amal, substratyň üstündäki gaz fazaly reaktiw materialyň fiziki we himiki reaksiýalarynyň bir toparydyr we ahyrynda SiC örtügi substratyň üstünde goýlup taýýarlanýar.CVD tehnologiýasy tarapyndan taýýarlanan SiC örtügi substratyň ýüzüne berk bagly bolup, substrat materialynyň okislenme garşylygyny we ablatiw garşylygyny netijeli gowulaşdyryp biler, ýöne bu usulyň çökdüriliş wagty has uzyn we reaksiýa gazy belli bir zäherlidir gaz.
Iş wagty: Noýabr-06-2023