A öwürmek üçin ýüzlerçe proses talap edilýärwafliýarymgeçirijä. Iň möhüm proseslerden biriçişirmek- ýagny, inçe zynjyr nagyşlaryny oýmakwafli. Üstünlikçişirmekamal belli bir paýlanyş çäginde dürli üýtgeýänleri dolandyrmaga baglydyr we her bir arassalaýjy enjam amatly şertlerde işlemäge taýyn bolmalydyr. Dykma prosesi inersenerlerimiz bu jikme-jik işi tamamlamak üçin ajaýyp önümçilik tehnologiýasyny ulanýarlar.
SK Hynix habar merkezi, işleri barada has giňişleýin maglumat almak üçin Icheon DRAM Front Etch, Middle Etch we End Etch tehniki toparlarynyň agzalary bilen söhbetdeşlik geçirdi.
Etç: Önümçiligi ýokarlandyrmaga syýahat
Ondarymgeçiriji önümçiliginde inçejik filmlere oýma nagyşlary degişlidir. Nagyşlar, her bir ädimiň soňky setirini düzmek üçin plazma bilen sepilýär. Esasy maksady, tertibe görä takyk nagyşlary ajaýyp hödürlemek we ähli şertlerde birmeňzeş netijeleri saklamak.
Depolýasiýa ýa-da fotolitografiýa prosesinde ýüze çykýan meseleler ýüze çyksa, olary seçip almak (Etch) tehnologiýasy arkaly çözüp bolar. Şeýle-de bolsa, dökülme wagtynda bir zat ýalňyşsa, ýagdaýy üýtgedip bolmaz. Sebäbi şol bir materialy oýulan meýdanda dolduryp bolmaýar. Şonuň üçin ýarymgeçirijini öndürmek prosesinde, umumy hasyllylygy we önümiň hilini kesgitlemek üçin çişirmek möhümdir.
Dökmek prosesi sekiz basgançagy öz içine alýar: ISO, BG, BLC, GBL, SNC, M0, SN we MLM.
Ilki bilen, işjeň öýjük meýdanyny döretmek üçin wafli ISO (izolýasiýa) basgançaklary (Etch) kremniý (Si). BG (jaýlanan derweze) basgançagy hatar salgy setirini (Word Line) 1 we elektron kanal döretmek üçin derwezäni emele getirýär. Ondan soň, BLC (Bit Line Contact) tapgyry, öýjük meýdanyndaky ISO bilen sütün salgysynyň (Bit Line) 2 arasynda baglanyşyk döredýär. GBL (Peri Gate + Cell Bit Line) tapgyry bir wagtyň özünde öýjük sütüniniň salgy setirini we periferiýa 3-de derwezäni döreder.
SNC (Saklaýyş düwmesi şertnamasy) tapgyry işjeň meýdan bilen ammar düwüniniň arasynda baglanyşyk döretmegi dowam etdirýär. Netijede, M0 (Metal0) tapgyry periferiýa S / D (Saklaýyş düwmesi) 5 we birikdiriş nokatlaryny emele getirýär. sütün salgy salgysy bilen ammar düwüniniň arasynda. SN (Saklaýyş düwmesi) tapgyry birligiň kuwwatyny tassyklaýar we indiki MLM (Multi Layer Metal) basgançagy daşarky elektrik üpjünçiligini we içerki simleri döredýär we tutuşlygyna (Etch) in engineeringenerçilik prosesi tamamlanýar.
Eting (Etch) tehnikleriniň esasan ýarymgeçirijileriň patentlenmegine jogapkärdigini göz öňünde tutup, DRAM bölümi üç topara bölünýär: Front Etch (ISO, BG, BLC); Orta Etch (GBL, SNC, M0); End Etch (SN, MLM). Bu toparlar önümçilik pozisiýalaryna we enjamlaryň ýagdaýyna görä bölünýärler.
Önümçilik wezipeleri birlik önümçilik proseslerini dolandyrmak we gowulandyrmak üçin jogapkärdir. Önümçilik pozisiýalary üýtgeýän gözegçilik we beýleki önümçiligi optimizasiýa çäreleri arkaly hasyllylygy we önümiň hilini ýokarlandyrmakda möhüm rol oýnaýar.
Enjamlaryň pozisiýalary, eriş wagtynda ýüze çykyp biljek kynçylyklardan gaça durmak üçin önümçilik enjamlaryny dolandyrmak we berkitmek üçin jogapkärdir. Enjamlaryň pozisiýasynyň esasy jogapkärçiligi enjamlaryň optimal işlemegini üpjün etmekdir.
Jogapkärçilikler düşnükli bolsa-da, ähli toparlar umumy bir maksada, ýagny öndürijiligi ýokarlandyrmak üçin önümçilik proseslerini we degişli enjamlary dolandyrmak we gowulandyrmak ugrunda işleýärler. Bu maksat bilen, her topar öz üstünliklerini we gowulaşdyrmak ugurlaryny işjeň paýlaşýar we işiň netijeliligini ýokarlandyrmak üçin hyzmatdaşlyk edýär.
Miniatýurizasiýa tehnologiýasynyň kynçylyklaryny nädip ýeňip geçmeli
SK Hynix 2021-nji ýylyň iýul aýynda 10nm (1a) synp prosesi üçin 8Gb LPDDR4 DRAM önümlerini köpçülikleýin öndürip başlady.
Ondarymgeçirijiniň ýat zynjyrynyň nagyşlary 10nm eýýamyna girdi we gowulaşandan soň bir DRAM takmynan 10,000 öýjügi ýerleşdirip biler. Şol sebäpden, hatda ekiş prosesinde-de proses marjasy ýeterlik däl.
Döredilen deşik (deşik) 6 gaty kiçi bolsa, "açylmadyk" bolup, çipiň aşaky bölegini ýapyp biler. Mundan başga-da, emele gelen deşik gaty uly bolsa, “köpri” bolup biler. Iki deşikiň arasyndaky boşluk ýeterlik däl bolsa, "köpri" ýüze çykýar, netijede indiki ädimlerde özara ýapyşmak meselesi ýüze çykýar. Ondarymgeçirijiler barha arassalanansoň, deşik ululyklarynyň diapazony kem-kemden kiçelýär we bu töwekgelçilikler kem-kemden ýok ediler.
Aboveokardaky meseleleri çözmek üçin tehnologiýa hünärmenleri, proses reseptini we APC7 algoritmini üýtgetmek we ADCC8 we LSR9 ýaly täze ekin tehnologiýalaryny ornaşdyrmak ýaly prosesi gowulandyrmagy dowam etdirýärler.
Müşderiniň zerurlyklary dürli-dürli bolansoň, başga bir kynçylyk ýüze çykdy - köp önüm öndürmek tendensiýasy. Müşderiniň şeýle isleglerini kanagatlandyrmak üçin her önüm üçin optimallaşdyrylan amal şertleri aýratyn kesgitlenmeli. In engineenerler üçin bu gaty kyn mesele, sebäbi köpçülikleýin önümçilik tehnologiýasyny kesgitlenen şertleriň we diwersifikasiýa şertleriniň zerurlyklaryny kanagatlandyrmaly.
Bu maksat bilen, Etch inersenerleri esasy önümlere (Esasy önümler) esaslanýan dürli emele gelenleri dolandyrmak üçin “APC ofset” 10 tehnologiýasyny hödürlediler we dürli önümleri hemmetaraplaýyn dolandyrmak üçin “T-indeks ulgamyny” döretdiler we ulandylar. Bu tagallalar arkaly köp önümli önümçiligiň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin ulgam yzygiderli kämilleşdirildi.
Iş wagty: Iýul-16-2024