“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we bolmasa, wafli, şeýle hem ýekeje hrustal ösmek üçin Semiceranyň bölekleri deňeşdirilýär
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, “Semicera” -yň TaC örtük önümleriniň hyzmat ediş möhleti, SiC örtüginden has ýokary we ýokary temperatura çydamlydyr. Laboratoriýa ölçeg maglumatlaryndan uzak wagtlap, TaC-ymyz iň köp 2300 dereje Selsiýada uzak wagtlap işläp biler. Aşakdaky käbir mysallarymyz:
(a) PVT usuly bilen SiC ýeke-täk kristal ingot ösýän enjamyň shemasy
