CVD köpçülikleýin kremniy karbid (SiC)
Gysgaça syn:CVDköp mukdarda kremniy karbid (SiC)plazma arassalaýjy enjamlarda, çalt ýylylyk gaýtadan işlemekde (RTP) we beýleki ýarymgeçiriji önümçilik proseslerinde köp gözlenýän materialdyr. Ajaýyp mehaniki, himiki we ýylylyk aýratynlyklary ony ýokary takyklygy we çydamlylygy talap edýän ösen tehnologiýa goşundylary üçin ideal material edýär.
CVD Bulk SiC programmalary:Bulk SiC ýarymgeçiriji pudagynda, esasanam plazma halka ulgamlarynda möhümdir, bu ýerde fokus halkalary, gaz kelleleri, gyrasy halkalar we platinalar SiC-iň ajaýyp poslama garşylygy we ýylylyk geçirijiliginden peýdalanýar. Ulanylyşy hem dowam edýärRTPSiC-iň düýpli temperatura üýtgemelerine ep-esli peselmezden garşy durmak ukyby sebäpli ulgamlar.
Dökmek enjamlaryndan başga-da, CVDköpçülikleýin SiCdiffuziýa peçlerinde we ýokary ýylylyk durnuklylygy we agyr himiki gurşawlara garşylyk talap edilýän diffuziýa peçlerinde we kristal ösüş proseslerinde gowy görülýär. Bu häsiýetler, ýokary temperaturany we hlor we ftor ýaly poslaýjy gazlary öz içine alýan ýokary islegli goşundylar üçin saýlama materialy edýär.
CVD Bulk SiC komponentleriniň artykmaçlyklary:
•Dokary dykyzlyk:Dykyzlygy 3,2 g / sm³,CVD köpçülikleýin SiCkomponentleri geýmäge we mehaniki täsire ýokary çydamlydyr.
•Iň ýokary ýylylyk geçirijiligi:300 W / m · K ýylylyk geçirijiligini hödürläp, köp SiC ýylylygy netijeli dolandyrýar we aşa ýylylyk sikllerine sezewar bolan komponentler üçin amatly bolýar.
•Aýratyn himiki garşylyk:SiC-iň çykýan gazlar, şol sanda hlor we ftor esasly himiki maddalar bilen pes reaktiwligi, komponentleriň ömrüniň uzak bolmagyny üpjün edýär.
•Düzülip bilinýän garşylyk: CVD köp mukdarda SiCgarşylygy 10⁻² - 10⁴ Ω-sm aralygynda düzülip bilner, bu bolsa ony ýörite eriş we ýarymgeçiriji önümçilik zerurlyklaryna uýgunlaşdyryp biler.
•Malylylyk giňelme koeffisiýenti:4,8 x 10⁻⁶ / ° C (25–1000 ° C) ýylylyk giňelme koeffisiýenti bilen, CVD köpçülikleýin SiC ýylylyk zarbasyna garşy durýar, çalt ýyladyş we sowadyş sikllerinde-de ölçeg durnuklylygyny saklaýar.
•Plazmadaky çydamlylyk:Icarymgeçiriji proseslerde plazma we reaktiw gazlara duçar bolmak gutulgysyz, ýöneCVD köpçülikleýin SiCposlama we zaýalanmaga has ýokary garşylyk hödürleýär, çalyşmagyň ýygylygyny we umumy hyzmat çykdajylaryny azaldýar.
Tehniki aýratynlyklar:
•Diametri:305 mm-den uly
•Garşylyk:10⁻² - 10⁴ Ω-sm aralygynda sazlap bolýar
•Dykyzlygy:3,2 g / sm³
•Malylylyk geçirijiligi:300 W / m · K.
•Malylylyk giňelme koeffisiýenti:4,8 x 10⁻⁶ / ° C (25–1000 ° C)
Özbaşdaklaşdyrma we çeýeligi:AtIcarym ýarymgeçiriji, her ýarymgeçiriji programmanyň dürli aýratynlyklary talap edip biljekdigine düşünýäris. Şonuň üçin CVD köpçülikleýin SiC komponentlerimiz, enjamlaryňyzyň zerurlyklaryna laýyk gelýän sazlanylýan garşylyk we ölçegleri bilen doly özleşdirilip bilner. Plazma arassalaýyş ulgamlaryňyzy optimallaşdyrýarsyňyzmy ýa-da RTP-de ýa-da diffuziýa proseslerinde çydamly komponentleri gözleýärsiňizmi, CVD köp mukdarda SiC deňsiz-taýsyz öndürijilik berýär.
