RTP CVD SiC halkasy

Gysga düşündiriş:

RTP CVD SiC halkalary esasan kremniy karbidden (SiC) durýar, himiki düzümi we kristal gurluşy ajaýyp öndürijilik berýär. Silikon karbid ýokary eriş nokady, ýokary gatylygy we ajaýyp poslama garşylygy bolan keramiki materialdyr. Highokary temperaturada gowy ýylylyk geçirijiligini we himiki durnuklylygyny görkezýär we ajaýyp mehaniki güýje we aşaga garşylygy bar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid näme üçin halka çykýar?

RTPCVD SiC jaň edýärsenagat we ylmy ugurlarda ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde giňden ulanylýar. Ondarymgeçiriji önümçiliginde, optoelektronikada, takyk tehnika we himiýa pudagynda möhüm rol oýnaýar. Applicationsörite programmalar şulary öz içine alýar:

1. icarymgeçiriji önümçiligi:RTP CVD SiC jaň edýärýarymgeçiriji enjamlary ýylatmak we sowatmak, durnukly temperatura gözegçiligini üpjün etmek we amalyň takyklygyny we yzygiderliligini üpjün etmek üçin ulanylyp bilner.

2. Optoelektronika: Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura garşylygy sebäpli RTPCVD SiC jaň edýärlazerler, süýümli optiki aragatnaşyk enjamlary we optiki komponentler üçin goldaw we ýylylyk paýlaýyş materiallary hökmünde ulanylyp bilner.

3. Takyk enjamlar: RTP CVD SiC halkalary ýokary temperaturaly peçler, wakuum enjamlary we himiki reaktorlar ýaly ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde takyk gurallar we enjamlar üçin ulanylyp bilner.

4. Himiýa senagaty: Poslama garşylygy we himiki durnuklylygy sebäpli, RTP CVD SiC halkalary himiki reaksiýalarda we katalitik proseslerde gaplarda, turbalarda we reaktorlarda ulanylyp bilner.

Epi ulgamy

RTP ulgamy

CVD ulgamy

Önümiň öndürijiligi:

1. 28nm-den aşakdaky amal bilen tanyşyň

2. Super poslama garşylyk

3. Örän arassa öndürijilik

4. Örän gatylyk

5. Highokary dykyzlyk

6. temperatureokary temperatura garşylyk

7. Garşylyk geýiň

Haryt amaly:

Silikon karbid materiallary ýokary gatylyk, köýnek garşylygy, poslama garşylyk we ýokary temperatura durnuklylygy ýaly aýratynlyklara eýedir. Ajaýyp giňişleýin öndürijilikli önümler gury eriş we TF / Diffuziýa proseslerinde giňden ulanylýar.