Icarymýokary hilli hödürleýärSi Epitaxyhäzirki ýarymgeçiriji pudagynyň takyk standartlaryna laýyk gelýän hyzmatlar. Epitaksial kremniniň gatlaklary elektron enjamlaryň işlemegi we ygtybarlylygy üçin möhümdir we Si Epitaxy çözgütlerimiz, komponentleriňiziň amatly işlemegini üpjün edýär.
Takyk ösen kremniniň gatlaklary Icarymperformanceokary öndürijilikli enjamlaryň esasynyň ulanylýan materiallaryň hiline baglydygyna düşünýär. BiziňkiSi Epitaxyajaýyp birmeňzeşlik we kristal bitewiligi bilen kremniniň gatlaklaryny öndürmek üçin proses berk gözegçilikde saklanýar. Bu gatlaklar, yzygiderlilik we ygtybarlylyk birinji orunda durýan mikroelektronikadan başlap, ösen güýç enjamlaryna çenli amaly programmalar üçin zerurdyr.
Enjamyň öndürijiligi üçin amatlyTheSi Epitaxy“Semicera” tarapyndan hödürlenýän hyzmatlar enjamlaryňyzyň elektrik aýratynlyklaryny ýokarlandyrmak üçin niýetlenendir. Pes kemçilikli dykyzlygy bolan ýokary arassa kremniy gatlaklaryny ösdürip, komponentleriňiziň daşaýjy hereketini gowulandyryp we elektrik garşylygyny minimuma eltip, iň oňat ýerine ýetirilmegini üpjün edýäris. Bu optimizasiýa häzirki zaman tehnologiýasy tarapyndan talap edilýän ýokary tizlikli we ýokary netijelilik aýratynlyklaryna ýetmek üçin möhümdir.
Goýmalaryň köpdürliligi Icarym'sSi EpitaxyCMOS tranzistorlaryny, kuwwatly MOSFET-leri we bipolý çatryk tranzistorlaryny öndürmek ýaly köp sanly amaly üçin amatly. Çeýe amallarymyz, ýokary ýygylykly programmalar üçin inçe gatlaklara ýa-da güýç enjamlary üçin has galyň gatlaklara mätäç bolsaňyz, taslamaňyzyň aýratyn talaplaryna esaslanyp, özleşdirmäge mümkinçilik berýär.
Iň ýokary material hiliSemicera-da edýän ähli işimiziň özeni hil. BiziňkiSi Epitaxyamal, her kremniniň gatlagynyň iň ýokary arassalyk we gurluş bitewiligine laýyk gelmegini üpjün etmek üçin iň häzirki zaman enjamlaryny we usullaryny ulanýar. Jikme-jiklige bu üns, enjamyň işleýşine täsir edip biljek has ygtybarly we uzak dowamly komponentlere sebäp bolup biljek kemçilikleriň ýüze çykmagyny azaldýar.
Innowasiýa borçnamasy Icarymýarymgeçiriji tehnologiýasynyň başynda durmagy maksat edinýär. BiziňkiSi Epitaxyhyzmatlar epitaksial ösüş usullarynda iň soňky üstünlikleri öz içine alýan bu ygrarlylygy görkezýär. Önümleriňiziň bazarda bäsdeşlige ukyply bolmagyny üpjün edip, pudagyň ösýän zerurlyklaryny kanagatlandyrýan kremniy gatlaklaryny üpjün etmek üçin amallarymyzy yzygiderli kämilleşdirýäris.
Zerurlyklaryňyz üçin aýratyn çözgütlerHer taslamanyň özboluşlydygyna düşünmek,Icarymýöriteleşdirilen teklipleri hödürleýärSi Epitaxyaýratyn zerurlyklaryňyza laýyk çözgütler. Aýratyn doping profilini, gatlagyň galyňlygyny ýa-da üstki bezeglerini talap etseňizem, toparymyz takyk kesgitlemeleriňize laýyk önüm öndürmek üçin siziň bilen ýakyndan işleşýär.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
