Düşündiriş
“Semicera GaN Epitaxy Carrier” häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin oýlanyşykly işlenip düzüldi. Qualityokary hilli materiallaryň we takyk in engineeringenerçiligiň binýady bilen bu daşaýjy, ajaýyp öndürijiligi we ygtybarlylygy sebäpli tapawutlanýar. Himiki bug çöketliginiň (CVD) kremniy karbid (SiC) örtüginiň birleşmegi, ýokary berkligi, ýylylyk netijeliligini we goragy üpjün edýär we bu pudak hünärmenleri üçin ileri tutulýan seçime öwrülýär.
Esasy aýratynlyklary
1. Adatdan daşary çydamlylyk“GaN Epitaxy Carrier” -iň üstündäki CVD SiC örtügi, könelmegine we ýyrtylmagyna garşylygyny ýokarlandyrýar we iş möhletini ep-esli uzaldýar. Bu berklik, önümçilik şertlerinde talap edilýän ýagdaýynda-da yzygiderli işlemegi üpjün edýär, ýygy-ýygydan çalyşmak we tehniki hyzmat etmek zerurlygyny azaldýar.
2. Iň ýokary ýylylyk netijeliligiOndarymgeçiriji önümçiliginde ýylylyk dolandyryşy möhümdir. GaN Epitaxy Carrier-iň ösen ýylylyk häsiýetleri, epitaksial ösüş döwründe iň amatly temperatura şertlerini saklap, ýylylygyň netijeli ýaýramagyny ýeňilleşdirýär. Bu netijelilik diňe bir ýarymgeçiriji wafleriň hilini ýokarlandyrman, eýsem umumy önümçilik netijeliligini hem ýokarlandyrýar.
3. Gorag mümkinçilikleriSiC örtügi himiki poslama we termiki zarbalardan güýçli goragy üpjün edýär. Bu, näzik ýarymgeçiriji materiallary gorap, önümçilik prosesiniň umumy hasyllylygyny we ygtybarlylygyny ýokarlandyryp, önümçilik prosesiniň dowamynda daşaýjynyň bütewiligini saklamagy üpjün edýär.
Tehniki aýratynlyklar:
Goýmalar ：
“Semicorex GaN Epitaxy Carrier” dürli ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri üçin amatly, şol sanda:
• GaN epitaksial ösüşi
• temperatureokary temperaturaly ýarymgeçiriji prosesler
• Himiki bug çöketligi (CVD)
• Beýleki ösen ýarymgeçiriji önümçilik programmalary
