“Semicera” tarapyndan öndürilen “SiC-örtükli grafit siňdiriji”, 1700 ° C çenli ýokary temperaturaly şertlerde ýokary derejä ýetmek üçin işlenip düzülendir. Bu ösen duýgur ýokary arassa grafit bilen ýasalýar we takyk himiki bug buglaýyş (CVD) prosesi arkaly kremniy karbid (SiC) bilen örtülýär. Düwürtige garşy durýan berk, ýöriteleşdirilen örtük sebäpli çukurlary ösdürmän uzak möhletli ulanylmagyny üpjün edýär.
Esasy aýratynlyklary:
- Temokary temperatura garşylyk:1700 ° C çenli çydamly temperatura, ýarymgeçiriji goşundylary talap etmek üçin amatly.
- Çukur ýok:Çukurlaryň emele gelmezden, yzygiderli işlemegini üpjün edip, köp ulanmak üçin niýetlenendir.
- Çydamly örtük:Custöriteleşdirilen SiC örtügi gaty uzak we uzak wagtlap ulanylsa-da, gabyklara çydamlydyr.
- Custörite çözgütler:Müşderiniň aýratyn talaplaryny kanagatlandyrmak üçin dürli ululykda we spesifikasiýalarda bar.
- Çalt eltip bermek:30 günlük gurşun wagty bilen, Semicera amallaryňyzyň kadaly dowam etmegi üçin öz wagtynda eltilmegini üpjün edýär.
- Çykdajyly:Hiline zyýan bermezden bäsdeşlik nyrhlary.
Goýmalar:
- Ondarymgeçiriji önümçiligi:Epitaksi, CVD we beýleki ýokary temperaturaly amallarda ulanmak üçin amatly.
- LED önümçiligi:Birmeňzeş ýyladyş we ýokary örtük hilini üpjün edýär, kemçilik derejesini peseldýär.
- Kuwwat elektronikasy:Powerokary kuwwatly enjamlaryň öndürijiligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
Semicera näme üçin saýlamaly:
“Semicera” ýokary hilli ýarymgeçiriji çözgütleri bermäge borçlanýar. SiC bilen örtülen grafit duýgurlarymyz, ýokary temperaturaly programmalaryňyz üçin iň amatly netijeleri üpjün edip, iň ýokary çydamlylyk we öndürijilik standartlaryna laýyk gelýär.
-
ICP çykarmak prosesi üçin SiC pin gaplar ...
-
Karbid bilen örtülen reaktor barrel reaktory
-
Suwuk faza epitaksiýasy üçin SiC örtükli barrel reaktory
-
Ondarymgeçiriji kremniy karbid wafli gaýyk bolup biler ...
-
Ösen LMJ mikrojet tehnologiýa lazerini üpjün ediň ...
-
Silikon karbid bilen örtülen grafit wafli göterijiler