MOCVD üçin kremniy karbid bilen örtülen disk

Gysga düşündiriş:

MOCVD üçin “Semicera” -nyň kremniy karbid bilen örtülen diski, metal-organiki himiki buglary çökdürmek (MOCVD) proseslerinde ajaýyp öndürijiligi üpjün etmek üçin döredildi. Çydamly kremniy karbid örtügi bilen, bu disk ýarymgeçirijiniň we LED önümçiliginiň amatly şertlerini üpjün edip, ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny, ýokary himiki garşylygy we birmeňzeş ýylylyk paýlanyşyny hödürleýär. Senagat ýolbaşçylarynyň ynamy bilen, Semicera-nyň kremniy karbid bilen örtülen diskleri, yzygiderli, ýokary hilli netijeleri berip, MOCVD amallaryňyzyň netijeliligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

TheSilikon Karbid Disksemicera-dan MOCVD üçin, epitaksial ösüş proseslerinde optimal netijelilik üçin döredilen ýokary öndürijilikli çözgüt. Icarym ýarym silikon karbid diski ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny we takyklygyny hödürleýär, bu bolsa Si Epitaxy we SiC Epitaxy proseslerinde möhüm komponent bolýar. MOCVD programmalarynyň ýokary temperaturasyna we talap edilýän şertlerine garşy durmak üçin döredilen bu disk ygtybarly öndürijiligi we uzak ömri üpjün edýär.

Silikon karbid diskimiz, köp sanly MOCVD sazlaýjylary bilen utgaşýarMOCVD Susseptorulgamlary we SiC Epitaxy-da GaN ýaly ösen prosesleri goldaýar. Şeýle hem, önümçilik önümiňiziň takyklygyny we hilini ýokarlandyryp, PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier we RTP Carrier ulgamlary bilen rahat birleşýär. Monokristally kremniniň önümçiliginde ýa-da LED Epitaxial Susceptor programmalarynda ulanylsa-da, bu disk ajaýyp netijeleri üpjün edýär.

Mundan başga-da, ýarym ýarym kremniniň karbid diski, dürli önümçilik şertlerinde çeýeligi hödürleýän Pancake Susceptor we Barrel Susceptor sazlamalary ýaly dürli konfigurasiýalara uýgunlaşdyrylýar. Fotowoltaik bölekleriň goşulmagy, gün energiýasy pudagynda ulanylyşyny hasam giňeldýär we häzirki zaman üçin köpugurly we aýrylmaz komponente öwürýärepitaksialösüşi we ýarymgeçiriji önümçiligi.

 

Esasy aýratynlyklary

1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit

2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi

3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin

4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk

 

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

SiC-CVD
Dykyzlygy (g / cc) 3.21
Fleksural güýç (Mpa) 470
Malylylyk giňelmesi (10-6 / K) 4
Malylylyk geçirijiligi (W / mK) 300

Gaplamak we eltip bermek

Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:

Mukdary (bölekler)

1-1000

> 1000

Est. Wagt (günler) 30 Gepleşik geçirmek
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: