Düşündiriş
CVD-SiC örtükDurnukly fiziki we himiki aýratynlyklary bolan birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura garşylyk, okislenme garşylygy, ýokary arassalyk, kislota we aşgar garşylygy we organiki reagent aýratynlyklary bar.
Highokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-de okislenip başlaýar, bu bolsa okislenme sebäpli tozanyň ýitmegine, periferiýa enjamlaryna we wakuum kameralaryna daşky gurşawyň hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapalanmagyna sebäp bolar.
Şeýle-de bolsa,SiC örtükfiziki we himiki durnuklylygy 1600 dereje saklap bilýär, häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji pudagynda giňden ulanylýar.
Esasy aýratynlyklary
1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit
2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin
4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk
CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:
| SiC-CVD | ||
| Dykyzlygy | (g / cc) | 3.21 |
| Fleksural güýç | (Mpa) | 470 |
| Malylylyk giňelmesi | (10-6 / K) | 4 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
Gaplamak we eltip bermek
Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:
| Mukdary (bölekler) | 1 - 1000 | > 1000 |
| Est. Wagt (günler) | 30 | Gepleşik geçirmek |
