Silikon karbid örtükli grafit sorujy, 8 dýuým wafli daşaýjy

Gysga düşündiriş:

“Semicera Energy” dürli epitaksi reaktorlary üçin döredilen duýgur we grafit komponentleriniň giň toplumyny hödürleýär.

Önümçilikde öňdebaryjy OEM-ler bilen strategiki hyzmatdaşlygyň, giň materiallaryň tejribesiniň we ösen önümçilik mümkinçilikleriniň üsti bilen, Weitai, programmaňyzyň aýratyn talaplaryna laýyk dizaýnlary hödürleýär. Üstünlige bolan ygrarlylygymyz, epitaksi reaktoryň zerurlyklary üçin iň amatly çözgütleri almagyňyzy üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

CVD-SiC örtükDurnukly fiziki we himiki aýratynlyklary bolan birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura garşylyk, okislenme garşylygy, ýokary arassalyk, kislota we aşgar garşylygy we organiki reagent aýratynlyklary bar.

Highokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-de okislenip başlaýar, bu bolsa okislenme sebäpli tozanyň ýitmegine, periferiýa enjamlaryna we wakuum kameralaryna daşky gurşawyň hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapalanmagyna sebäp bolar.
Şeýle-de bolsa,SiC örtükfiziki we himiki durnuklylygy 1600 dereje saklap bilýär, häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji pudagynda giňden ulanylýar.

CFGNBHXF

SFGHBZSF

Esasy aýratynlyklary

1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit

2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi

3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin

4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

SiC-CVD
Dykyzlygy	(g / cc)	3.21
Fleksural güýç	(Mpa)	470
Malylylyk giňelmesi	(10-6 / K)	4
Malylylyk geçirijiligi	(W / mK)	300

Gaplamak we eltip bermek

Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty: