SiC örtükli grafit wafli sorujy

SiC örtükli grafit wafli siňdiriji aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Icarymgeçirijiniň SiC örtükli grafit wafli siňdirijisi, wafli gaýtadan işlemek üçin ýokary ýylylyk öndürijiligini we çydamlylygyny üpjün edýär. Icarymgeçiriji programmalarynda netijeliligi we ygtybarlylygy ýokarlandyrmak üçin döredilen ösen SiC örtükli duýgurlar üçin “Semicera” bil baglaň.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

“Semicorex” -iň MOCVD üçin “SiC Wafer” duýgurlary (metal-organiki himiki bug buglanyşy) epitaksial çöketlik prosesleriniň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin işlenip düzülendir. Qualityokary hilli kremniy karbidi (SiC) ulanyp, bu duýgurlar ýarymgeçiriji materiallaryň takyk we täsirli ösmegini üpjün edip, ýokary temperatura we poslaýjy şertlerde deňsiz-taýsyz çydamlylygy we öndürijiligi hödürleýärler.

Esasy aýratynlyklary:

1. Iň ýokary material aýratynlyklaryGradeokary derejeli SiC-den gurlan wafli duýgurlarymyz ajaýyp ýylylyk geçirijiligini we himiki garşylygyny görkezýär. Bu häsiýetler, ýokary temperaturany we poslaýjy gazlary goşmak bilen, uzak ömri we ygtybarly işlemegi üpjün edip, MOCVD prosesleriniň aşa şertlerine garşy durmaga mümkinçilik berýär.

2. Epitaksial çöketlikde takyklyk“SiC Wafer Susceptors” -ymyzyň takyk in engineeringenerligi, yzygiderli we ýokary hilli epitaksial gatlagyň ösmegine kömek edip, wafli üstünde birmeňzeş temperaturanyň paýlanmagyny üpjün edýär. Bu takyklyk, optimal elektrik häsiýetli ýarymgeçirijileri öndürmek üçin möhümdir.

3. Güýçlendirilen berklikYgtybarly SiC materialy, hatda agyr proses şertlerine üznüksiz täsir etse-de, könelmegine we zaýalanmagyna ajaýyp garşylyk berýär. Bu çydamlylyk, iş wagtyny we iş çykdajylaryny azaldyp, duýgur çalyşmagyň ýygylygyny peseldýär.