“Semicera” -dan “Solid SiC Focus Ring” ösen ýarymgeçiriji önümçiliginiň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin döredilen iň häzirki zaman komponentidir. Highokary arassalykdan ýasalanSilikon Karbid (SiC), bu fokus halkasy ýarymgeçiriji pudagynda, esasanam, köp sanly programma üçin amatlydyrCVD SiC amallary, plazma dökülmesi weICPRIE (Induktiw jübüt plazma reaktiw Ion çişmesi). Ajaýyp könelişme garşylygy, ýokary ýylylyk durnuklylygy we arassalygy bilen tanalýan, ýokary stresli şertlerde uzak wagtlap işlemegini üpjün edýär.
Ondarymgeçirijidewafligaýtadan işlemek, Gaty SiC fokus halkalary gury eriş we wafli eriş programmalary wagtynda takyk çişmegi saklamakda möhüm ähmiýete eýe. SiC fokus halkasy, plazmany arassalaýjy maşyn amallary ýaly proseslerde plazmany fokusirlemäge kömek edýär, kremniý wafli ýuwmak üçin zerur bolup durýar. Gaty SiC materialy, eroziýa deňsiz-taýsyz garşylyk hödürleýär, enjamlaryňyzyň uzak ömrüni üpjün edýär we ýarymgeçirijiniň önümçiliginde ýokary geçirijiligi saklamak üçin zerur bolan iş wagty azaldýar.
“Semicera” -dan “Solid SiC Focus Ring” ýarymgeçiriji pudagynda köplenç duş gelýän aşa gyzgynlyga we agressiw himiki serişdelere garşy durmak üçin döredildi. Highaly ýokary takyklykly meselelerde ulanmak üçin ýörite ýasaldyCVD SiC örtükleriarassalygy we çydamlylygy birinji orunda durýar. Malylylyk zarbasyna ajaýyp garşylyk bilen, bu önüm iň agyr şertlerde yzygiderli we durnukly öndürijiligi üpjün edýär, şol bir wagtyň özünde ýokary temperatura täsir edýärwaflidökmek prosesleri.
Takyklyk we ygtybarlylyk möhüm bolan ýarymgeçiriji programmalarda, Solid SiC Fokus halkasy, işlemegiň umumy netijeliligini ýokarlandyrmakda möhüm rol oýnaýar. Ygtybarly, ýokary öndürijilikli dizaýny, aşa şertlerde ýerine ýetirýän ýokary arassalyk komponentlerini talap edýän pudaklar üçin ajaýyp saýlawy edýär. UlanylýarmyCVD SiC halkasyamaly programmalar ýa-da plazma emele getiriş prosesiniň bir bölegi hökmünde, Semicera-nyň Solid SiC Fokus halkasy, önümçilik prosesleriňiziň uzak ömrüni we ygtybarlylygyny hödürläp, enjamlaryňyzyň işleýşini optimizirlemäge kömek edýär.
Esasy aýratynlyklary:
• Iň ýokary eşik garşylygy we ýokary ýylylyk durnuklylygy
• Uzak ömri üçin ýokary arassa Solid SiC materialy
• Plazma çişmegi, ICP RIE we gury eriş programmalary üçin amatly
• Esasanam CVD SiC amallarynda wafli çişirmek üçin ajaýyp
• Ekstremal şertlerde we ýokary temperaturada ygtybarly öndürijilik
• Silikon wafli dakmagyň takyklygyny we netijeliligini üpjün edýär
Goýmalar:
• icarymgeçiriji önümçiliginde CVD SiC prosesleri
• Plazma we ICP RIE ulgamlary
• Gury eriş we wafli siňdiriş amallary
• Plazma çişiriji maşynlarda dökülme we çökdürme
• Wafli halkalar we CVD SiC halkalary üçin takyk komponentler
CVD SiC üstüniň mikroskopik morfologiýasy
CVD SiC kesişiniň mikroskopik morfologiýasy
