Düşündiriş
Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär.
Esasy aýratynlyklary
1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit
2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. Tekiz ýer üçin örtülen inçe SiC kristal
4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk
CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary
| SiC-CVD häsiýetleri | ||
| Kristal gurluş | FCC β tapgyry | |
| Dykyzlygy | g / sm ³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wikers gatylygy | 2500 |
| Galla ölçegi | μm | 2 ~ 10 |
| Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
| Atylylyk kuwwaty | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Felexural güýç | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Youngaş modul | Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) | 430 |
| Malylylyk giňelişi (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
