Düşündiriş
SiC örtükli “Semicorex Wafer” göterijileri, ýokary hilli inçe film we örtük aýratynlyklary üçin möhüm ähmiýete eýe bolan CVD amallary wagtynda birmeňzeş ýylylyk paýlanyşyny üpjün edip, ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny we geçirijiligini üpjün edýär.
Esasy aýratynlyklary:
1. Ajaýyp ýylylyk durnuklylygy we geçirijiligiSiC bilen örtülen wafli göterijilerimiz, CVD amallary üçin möhüm bolan durnukly we yzygiderli temperaturany saklamakda ýokarydyr. Bu birmeňzeş ýylylyk paýlanyşyny üpjün edýär, ýokary inçe filme we örtük hiline getirýär.
2. Takyk önümçilikHer bir wafli daşaýjy, birmeňzeş galyňlygy we ýeriň tekizligini üpjün edip, takyk standartlara laýyklykda öndürilýär. Bu takyklyk, önümçiligiň umumy hilini ýokarlandyrmak, köp wafli boýunça yzygiderli depozit derejelerini we film aýratynlyklaryny gazanmak üçin möhümdir.
3. Haramlyk päsgelçiligiSiC örtügi geçip bolmaýan päsgelçilik hökmünde hereket edýär, hapalardan duýgurlykdan wafli ýaýramagynyň öňüni alýar. Bu ýokary arassa ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin möhüm bolan hapalanma töwekgelçiligini azaldýar.
4. Çydamlylyk we çykdajylaryň netijeliligiYgtybarly gurluşyk we SiC örtük, wafli göterijileriň berkligini ýokarlandyrýar, duýgur çalşygynyň ýygylygyny azaldýar. Bu ýarymgeçiriji önümçilik amallarynyň netijeliligini ýokarlandyryp, tehniki hyzmatyň çykdajylarynyň peselmegine we iş wagtynyň azaldylmagyna getirýär.
5. Özbaşdaklaşdyrma opsiýalarySiC örtükli “Semicorex Wafer” göterijileri, ululygynyň, görnüşiniň we örtüginiň galyňlygynyň üýtgemelerini goşmak bilen, aýratyn amal talaplaryna laýyklaşdyrylyp bilner. Bu çeýeligi, dürli ýarymgeçirijini ýasamak prosesleriniň üýtgeşik talaplaryna laýyk gelýän duýgurlygy optimizirlemäge mümkinçilik berýär. Özbaşdaklaşdyrma opsiýalary, ýokary göwrümli önümçilik ýa-da gözleg we işläp düzmek ýaly ýöriteleşdirilen programmalar üçin niýetlenen duýgur dizaýnlary ösdürmäge mümkinçilik berýär, aýratyn ulanylyş ýagdaýlary üçin iň amatly öndürijiligi üpjün edýär.
Goýmalar:
SiC örtükli “Semicera Wafer” göterijiler:
• icarymgeçiriji materiallaryň epitaksial ösüşi
• Himiki buglary çökdürmek (CVD) amallary
• qualityokary hilli ýarymgeçiriji wafli öndürmek
• Öňdebaryjy ýarymgeçiriji önümçilik programmalary
Tehniki aýratynlyklar :







-
MOCVD substraty üçin ýyladyş elementleri
-
Gözenek tantal karbidi, gyzgyn meýdan materialy ...
-
Ondarymgeçiriji MOCVD substrat gyzdyryjy MOCVD ýylylygy ...
-
Okislenmä garşy ýokary arassalyk SiC örtükli MOCVD gapagy
-
Icarymgeçiriji üçin kremniy karbid RTA daşaýjy plastinka ...
-
SiC örtükli barrel siňdiriji