Silikon karbid örtükli grafit siňdiriji

Silikon karbid örtükli grafit duýgurly aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Icarymgeçirijiniň kremniy karbid örtükli grafit suseptory epitaksiýa amaly üçin ajaýyp ýylylyk geçirijiligini we çydamlylygyny üpjün edýär. Iň ýokary SiC örtük tehnologiýasy bilen epitaksial prosesleriňizi güýçlendirmek üçin döredilen ösen duýgurlar üçin Semicera bil baglaň.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

“Semicera” -nyň SiC bilen örtülen grafit duýgurlary ýokary hilli grafit substratlary bilen işlenip düzülendir, ösen himiki bug buglaýyş (CVD) prosesleri arkaly Silikon Karbid (SiC) bilen örtülen. Bu innowasiýa dizaýny, termiki zarba we himiki zaýalanmaga ajaýyp garşylygy üpjün edýär, SiC örtülen grafit duýgurlygynyň ömrüni ep-esli uzaldýar we ýarymgeçirijiniň önümçilik prosesinde ygtybarly öndürijiligi kepillendirýär.

Esasy aýratynlyklar ：

1. Iň ýokary ýylylyk geçirijiligiSiC örtülen grafit duýgurlygy, ýarymgeçiriji önümçiligi wagtynda ýylylygyň netijeli ýaýramagy üçin möhüm ýylylyk geçirijiligini görkezýär. Bu aýratynlyk, islenýän ýarymgeçiriji häsiýetlere ýetmek üçin zerur bolan birmeňzeş temperatura paýlanyşyny öňe sürüp, wafli üstündäki ýylylyk gradiýentlerini azaldýar.

2. Güýçli himiki we termiki zarba garşylygySiC örtügi himiki poslama we ýylylyk zarbasyna garşy goraglylygy üpjün edýär, hatda gaty gaýtadan işleýän şertlerde-de grafit duýgurlygynyň bitewiligini saklaýar. Bu güýçlendirilen çydamlylyk, iş wagty azaldýar we ýarymgeçiriji önümçilik desgalarynda öndürijiligiň we çykdajylaryň ýokarlanmagyna goşant goşýar.

3. Aýratyn zerurlyklar üçin özleşdirmeSiC bilen örtülen grafit duýgurlarymyz belli bir talaplara we isleglere laýyklaşdyrylyp bilner. Dürli amaly programmalar we amal parametrleri üçin dizaýn çeýeligini we optimal öndürijiligini üpjün etmek üçin ululykdaky düzedişleri we örtük galyňlygynyň üýtgemelerini goşmak bilen, özleşdirmegiň birnäçe görnüşini hödürleýäris.

Goýmalar ：

ProgrammalarSemicera SiC örtükleri ýarymgeçiriji önümçiliginiň dürli tapgyrlarynda ulanylýar, şol sanda:
1. -LED çip önümçiligi
2. -Polizilikon önümçiligi
3.-ýarymgeçiriji kristal ösüşi
4. -Silikon we SiC epitaksi
5.-Termiki okislenme we diffuziýa (TO&D)