“Semicera” tarapyndan öndürilen “Silikon Karbid Dummy Wafer” häzirki ýokary derejeli ýarymgeçiriji pudagynyň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ýasaldy. Ajaýyp berkligi, ýokary ýylylyk durnuklylygy we ýokary arassalygy bilen tanalýarwafliýarymgeçiriji önümçiliginde synag, kalibrleme we hiliň barlagy üçin zerurdyr. “Semicera” -nyň “Silikon Karbid Dummy Wafer” deňsiz-taýsyz eşik garşylygyny üpjün edýär, zaýalanmazdan berk ulanylmagyna çydap bilýär we gözleg we önümçilik gurşawy üçin amatly edýär.
Dürli programmalary goldamak üçin döredilen “Silicon Carbide Dummy Wafer” bilen baglanyşykly proseslerde köplenç ulanylýarSi Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, weEpi-Wafertehnologiýalary. Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we gurluş bütewiligi, ösen elektron böleklerini we enjamlaryny öndürmekde giňden ýaýran ýokary temperaturaly gaýtadan işlemek we işlemek üçin ajaýyp saýlawy edýär. Mundan başga-da, wafli ýokary arassalygy, ýarymgeçiriji materiallaryň hilini gorap, hapalanmak töwekgelçiligini azaldýar.
Ondarymgeçiriji pudagynda Silikon Karbid Dummy Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 we AlN Wafer ýaly täze material synaglary üçin ygtybarly salgylanma wafli bolup hyzmat edýär. Bu ýüze çykýan materiallar, dürli şertlerde durnuklylygyny we öndürijiligini üpjün etmek üçin seresaply derňewleri we synaglary talap edýär. “Semicera” -dan ýasalan wafli ulanyp, öndürijiler ýokary güýçli, RF we ýokary ýygylykly programmalar üçin indiki nesil materiallaryny ösdürmäge kömek edip, öndürijilik yzygiderliligini saklaýan durnukly platforma gazanýarlar.
Senagat boýunça programmalar
• icarymgeçiriji önümçiligi
SiC Dummy Wafers ýarymgeçiriji önümçiliginde, esasanam önümçiligiň başlangyç döwründe möhümdir. Olar kremniý wafli bolup biljek zyýandan goraýan we prosesiň takyklygyny üpjün edýän gorag päsgelçiligi bolup hyzmat edýär.
•Hiliň barlagy we synag
Hiliň barlagynda, SiC Dummy Wafers gowşuryş barlaglary we proses formalaryna baha bermek üçin möhümdir. Filmiň galyňlygy, basyşa garşylyk we şöhlelendiriş görkezijisi ýaly parametrleri takyk ölçemäge mümkinçilik berýär, önümçilik prosesleriniň tassyklanmagyna goşant goşýar.
•Litografiýa we nagyş barlagy
Daşbasma usulynda bu wafli nagyş ölçegini ölçemek we kemçiligi barlamak üçin esasy görkeziji bolup hyzmat edýär. Olaryň takyklygy we ygtybarlylygy ýarymgeçiriji enjamyň işlemegi üçin möhüm bolan islenýän geometrik takyklygy gazanmaga kömek edýär.
•Gözleg we ösüş
Gözleg we gözleg gurşawynda, SiC Dummy Wafers-iň çeýeligi we berkligi giň synaglary goldaýar. Gaty synag şertlerine çydamlylyk ukyby, täze ýarymgeçiriji tehnologiýalary ösdürmek üçin bahasyna ýetip bolmajak zat edýär.
