Düşündiriş
Silikon Karbid epitaksialIcarym ýarymdan VEECO enjamlary üçin wafer diskleri ösen epitaksial prosesler üçin takyk işlenip, ikisinde-de ýokary hilli netijeleri üpjün edýärSi EpitaxyweSiC Epitaxygoýmalary. Bu wafli diskler, dürli ýarymgeçiriji önümçilik prosesleriniň öndürijiligini we netijeliligini ýokarlandyryp, VEECO enjamlary üçin ýörite döredildi. “Semicera” -yň tejribesi, möhüm programmalar üçin ajaýyp çydamlylygy we takyklygy kepillendirýär.
Bu epitaksial wafli diskler ulanmak üçin amatlydyrMOCVD Susseptorýaly möhüm komponentlere berk goldaw berýän ulgamlarPSS ýük daşaýjy, ICP ýük daşaýjy, weRTP daşaýjy. Mundan başga-da, olar bilen ösen utgaşyklygy hödürleýärlerLED epitaksial duýgur, Barrel Susceptor we Monokristally Silikon prosesleri, önümçilik liniýalaryňyzyň iň ýokary netijelilik we takyklyk standartlaryny saklamagyny üpjün edýär.
Öňdebaryjy tehnologiýa üçin niýetlenen bu wafli diskler Fotowoltaik bölekleriň öndürilmegine ep-esli goşant goşýar we SiC Epitaxy-da GaN ýaly çylşyrymly prosesleri ýeňilleşdirýär. “Pancake Susceptor” konfigurasiýalary ýa-da beýleki talap ediji programmalar üçin ulanylsa-da, ýarym ýarymyň “Silikon Karbid Epitaksial Wafer Diskleri” iň oňat öndürijiligi we uzak möhletli çydamlylygy üpjün edip, ösen ýarymgeçiriji önümçiligi üçin ygtybarly binýady üpjün edýär.
Esasy aýratynlyklary
1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit
2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin
4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk
CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:
| SiC-CVD | ||
| Dykyzlygy | (g / cc) | 3.21 |
| Fleksural güýç | (Mpa) | 470 |
| Malylylyk giňelmesi | (10-6 / K) | 4 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
Gaplamak we eltip bermek
Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:
| Mukdary (bölekler) | 1-1000 | > 1000 |
| Est. Wagt (günler) | 30 | Gepleşik geçirmek |
