Semicera'sSilikon Karbid epitaksiýasyhäzirki zaman ýarymgeçiriji programmalarynyň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin işlenip düzülendir. Ösen epitaksial ösüş usullaryny ulanmak bilen, her kremniniň karbid gatlagynyň ajaýyp kristal hilini, birmeňzeşligini we kemçilikleriň iň az dykyzlygyny görkezýändigine göz ýetirýäris. Bu aýratynlyklar, netijelilik we ýylylyk dolandyryşy birinji orunda durýan ýokary öndürijilikli elektrik elektronikasyny ösdürmek üçin möhümdir.
TheSilikon Karbid epitaksiýasy“Semicera” -daky proses takyk galyňlygy we doping gözegçiligi bilen epitaksial gatlaklary öndürmek üçin optimallaşdyrylýar, birnäçe enjamda yzygiderli işlemegi üpjün edýär. Bu takyklyk derejesi, ygtybarlylygy we netijeliligi möhüm bolan elektrik ulaglarynda, täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda we ýokary ýygylykly aragatnaşyklarda ulanmak üçin zerurdyr.
Mundan başga-da, Semicera'sSilikon Karbid epitaksiýasygüýçlendirilen ýylylyk geçirijiligini we has ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesini hödürleýär, bu aşa agyr şertlerde işleýän enjamlar üçin ileri tutulýan saýlama bolýar. Bu häsiýetler, esasanam ýokary güýçli we ýokary temperaturaly şertlerde enjamyň ömrüniň uzak bolmagyna we ulgamyň umumy netijeliligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.
“Semicera” şeýle hem özleşdirmek opsiýalaryny hödürleýärSilikon Karbid epitaksiýasy, enjamyň aýratyn talaplaryna laýyk gelýän çözgütlere mümkinçilik berýär. Gözleg ýa-da uly göwrümli önümçilik üçin bolsun, epitaksial gatlaklarymyz has güýçli, täsirli we ygtybarly elektron enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýän ýarymgeçiriji innowasiýalaryň indiki neslini goldamak üçin döredildi.
Öňdebaryjy tehnologiýany we berk hil gözegçilik proseslerini birleşdirip, “Semicera” biziňkini üpjün edýärSilikon Karbid epitaksiýasyönümler diňe bir önümçilik standartlaryna laýyk gelmeýär, eýsem. Üstünlige bolan bu ygrarlylyk, epitaksial gatlaklarymyzy ösen ýarymgeçiriji goşundylar üçin iň oňat esas döredýär, elektrik elektronikasynda we optoelektronikada öňegidişliklere ýol açýar.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
