Düşündiriş
Biziň kompaniýamyz üpjün edýärSiC örtükgrafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen işlemek, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary temperaturada täsir edip, ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder.örtülenSIK gorag gatlagyny emele getirýän materiallar.
SiC duş kelleleriniň aýratynlyklary aşakdakylar:
1. Poslama garşylyk: SiC materialy ajaýyp poslama garşylygy we dürli himiki suwuklyklaryň we erginleriň eroziýasyna çydap bilýär we dürli himiki gaýtadan işlemek we ýerüsti bejeriş amallary üçin amatlydyr.
2. temperatureokary temperatura durnuklylygy:SiC burunlaryýokary temperatura şertlerinde gurluş durnuklylygyny saklap biler we ýokary temperatura bejergisini talap edýän programmalar üçin amatlydyr.
3. Bitewi pürkmek:SiC burundizaýn, suwuklygyň birmeňzeş paýlanyşyna ýetip bilýän we bejeriş suwuklygynyň nyşanyň üstünde deň derejede örtülmegini üpjün edip bilýän gowy pürküji dolandyryş ýerine ýetirijiligine eýedir.
4. wearokary könelişme garşylygy: SiC materialynyň gatylygy we könelmegine garşylygy bar we uzak wagtlap ulanylmagyna we sürtülmegine çydap bilýär.
SiC duş kelleleri ýarymgeçiriji öndürmekde, himiki gaýtadan işlemekde, ýerüsti örtükde, elektroplatirlemekde we beýleki senagat meýdanlarynda suwuk bejeriş proseslerinde giňden ulanylýar. Gaýtadan işlemegiň we bejerginiň hilini we yzygiderliligini üpjün etmek üçin durnukly, birmeňzeş we ygtybarly pürküji effektleri berip biler.
Esasy aýratynlyklary
1. temperatureokary temperaturanyň okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-e ýetende gaty gowy.
2. purokary arassalygy: ýokary temperatura hlorlaşma şertinde himiki bug çökdürilmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary
| SiC-CVD häsiýetleri | ||
| Kristal gurluş | FCC β tapgyry | |
| Dykyzlygy | g / sm ³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wikers gatylygy | 2500 |
| Galla ölçegi | μm | 2 ~ 10 |
| Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
| Atylylyk kuwwaty | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Felexural güýç | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Youngaş modul | Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) | 430 |
| Malylylyk giňelişi (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
