Silikon karbid SiC Duş kellesi

Gysga düşündiriş:

“Semicera” öňdebaryjy gözleg topary we toplumlaýyn gözleg we önümçilik bilen köp ýyllap maddy gözlegler bilen meşgullanýan ýokary tehnologiýaly kärhana. Customöriteleşdirilen üpjün ediňSilikon karbidSiCDuş kellesi önümleriňiz üçin iň oňat öndürijiligi we bazar artykmaçlygyny nädip almalydygyny tehniki hünärmenlerimiz bilen maslahatlaşmak.

 

 

 


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

Biziň kompaniýamyz üpjün edýärSiC örtükgrafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen işlemek, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary temperaturada täsir edip, ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder.örtülenSIK gorag gatlagyny emele getirýän materiallar.

SiC duş kelleleriniň aýratynlyklary aşakdakylar:

1. Poslama garşylyk: SiC materialy ajaýyp poslama garşylykly we dürli himiki suwuklyklaryň we erginleriň eroziýasyna çydap bilýär we dürli himiki gaýtadan işlemek we ýerüsti bejeriş amallary üçin amatly.

2. temperatureokary temperatura durnuklylygy:SiC burunlaryýokary temperatura şertlerinde gurluş durnuklylygyny saklap biler we ýokary temperatura bejergisini talap edýän programmalar üçin amatlydyr.

3. Bitewi pürkmek:SiC burundizaýn, suwuklygyň birmeňzeş paýlanyşyna ýetip bilýän we bejeriş suwuklygynyň nyşanyň üstünde deň derejede örtülmegini üpjün edip bilýän gowy pürküji dolandyryş ýerine ýetirijiligine eýedir.

4.

SiC duş kelleleri ýarymgeçiriji öndürmekde, himiki gaýtadan işlemekde, ýerüsti örtükde, elektroplatirlemekde we beýleki senagat meýdanlarynda suwuk bejeriş proseslerinde giňden ulanylýar. Gaýtadan işlemegiň we bejerginiň hilini we yzygiderliligini üpjün etmek üçin durnukly, birmeňzeş we ygtybarly pürküji effektleri berip biler.

hakda (1)

hakda (2)

Esasy aýratynlyklary

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD häsiýetleri
Kristal gurluş FCC β tapgyry
Dykyzlygy g / sm ³ 3.21
Gatylyk Wikers gatylygy 2500
Galla ölçegi μm 2 ~ 10
Himiki arassalyk % 99.99995
Atylylyk kuwwaty J · kg-1 · K-1 640
Sublimasiýa temperaturasy 2700
Felexural güýç MPa (RT 4 bal) 415
Youngaş modul Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) 430
Malylylyk giňelişi (CTE) 10-6K-1 4.5
Malylylyk geçirijiligi (W / mK) 300
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: