Semicera'sSilikon Karbid (SiC) Wafer daşaýjyösen LSI + ulanyp ineredenerCVD tehnologiýasy häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň talaplaryny kanagatlandyrmak. SiC wafli göterijilerimiz ýokary arassalygy, ajaýyp berkligi we çukursyz gaýta-gaýta ulanylmagy bilen tanalýarlar. Bu göterijiler dürli ýarymgeçiriji proseslerde optimal öndürijiligi üpjün edýärler.
Esasy aýratynlyklary
- -Pokary arassalyk: Minimal hapalanmagy we ýokary öndürijiligi üpjün edýän ýokary arassa kremniy karbid bilen öndürildi.
- Çydamlylyk: Ygtybarly gurluşyk, zaýalanmazdan gaýtadan ulanmaga mümkinçilik berýär.
- - Özbaşdak: Aýry-aýry iş şertlerine esaslanýan öndürijiligi optimizirläp, müşderiniň aýratyn talaplaryna laýyklaşdyrylyp bilner.
- Ösen tehnologiýa: LSI + CVD tehnologiýasyny yzygiderli hil we ygtybarlylyk üçin ulanýar.
- -Pinholes ýok: Gözenekliligi ýok etmek, uzak möhletli ulanylyşyň dowamynda rahat we täsirli prosesi üpjün etmek üçin döredildi.
Goýmalar
Ondarymgeçiriji önümçilik proseslerinde, esasanam ýokary ýylylyk durnuklylygyny we könelmegine we poslamagyna garşylygy talap edýän şertlerde ulanmak üçin amatly. “Semicera” -nyň “SiC Wafer” göterijileri dürli programmalar üçin amatly, şol sanda:
- Icarymgeçiriji önümçiligi: Wafli gaýtadan işlemegiň netijeliligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
- -LED Önümçilik: LED çip öndürilende birmeňzeş ýyladyş we örtük üpjün edilýär.
- - Güýçli elektronika: Performanceokary öndürijilikli we çydamly güýçli elektron enjamlaryny goldaýar.
Näme üçin Semicera saýlamaly？
“Semicera” ýarymgeçiriji pudagy üçin ýokary hilli kremniy karbid çözgütleri bilen üpjün etmegi maksat edinýär. “SiC Wafer Carrier” iň ýokary öndürijilik we ygtybarlylyk standartlaryna laýyk gelýär. Icarymgeçirijiniň ähli zerurlyklary üçin “Semicera” -a ynanyň we hiliň we hyzmatyň tapawudyny başdan geçiriň.
