Silikon filmi

Gysga düşündiriş:

“Semicera” tarapyndan döredilen kremniý filmi ýarymgeçiriji we elektronika pudaklarynda dürli ösen programmalar üçin döredilen ýokary öndürijilikli materialdyr. Qualityokary hilli kremniden öndürilen bu film ajaýyp birmeňzeşligi, ýylylyk durnuklylygyny we elektrik aýratynlyklaryny hödürleýär we inçe film çökdürilmegi, MEMS (Mikro-Elektro-Mehaniki Ulgamlar) we ýarymgeçiriji enjam ýasamak üçin iň oňat çözgüt bolýar.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” tarapyndan döredilen kremniý filmi, ýarymgeçiriji pudagynyň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin döredilen ýokary hilli, takyk işlenip taýýarlanan materialdyr. Arassa kremniden öndürilen bu inçe film çözgüdi ajaýyp birmeňzeşligi, ýokary arassalygy we ajaýyp elektrik we ýylylyk aýratynlyklaryny hödürleýär. Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate we Epi-Wafer ýaly dürli ýarymgeçiriji programmalarda ulanmak üçin amatly. “Semicera” -nyň kremniy filmi ygtybarly we yzygiderli öndürijiligi üpjün edýär we ony ösen mikroelektronika üçin möhüm material edýär.

Ondarymgeçiriji öndürmek üçin ýokary hil we öndürijilik

“Semicera” kremniý filmi ajaýyp mehaniki güýji, ýokary ýylylyk durnuklylygy we pes kemçilik derejesi bilen tanalýar, bularyň hemmesi ýokary öndürijilikli ýarymgeçirijileriň ýasalmagynda möhüm ähmiýete eýe. “Gallium Oxide” (Ga2O3) enjamlarynyň, “AlN Wafer” ýa-da “Epi-Wafers” önümçiliginde ulanylsa-da, film inçe filmleriň çökmegi we epitaksial ösmegi üçin berk binýady üpjün edýär. SiC Substrate we SOI Wafers ýaly beýleki ýarymgeçiriji substratlar bilen utgaşyklygy, ýokary hasyllylygy we önümiň yzygiderli hilini saklamaga kömek edip, bar bolan önümçilik proseslerine bökdençsiz birleşmegi üpjün edýär.

Ondarymgeçiriji pudagynda goýmalar

Icarymgeçiriji pudagynda “Semicera” -nyň kremniy filmi “Si Wafer” we “SOI Wafer” -iň önümçiliginden “SiN Substrate” we “Epi-Wafer” ýaly has ýöriteleşdirilen ulanyşlara çenli köp sanly programmada ulanylýar. Bu filmiň ýokary arassalygy we takyklygy mikroprosessorlardan we integral zynjyrlardan optoelektron enjamlaryna çenli hemme zatda ulanylýan ösen komponentleri öndürmekde möhüm ähmiýete eýe bolýar.

Silikon filmi epitaksial ösüş, wafli baglanyşyk we inçe film çökdürmek ýaly ýarymgeçiriji proseslerde möhüm rol oýnaýar. Ygtybarly häsiýetleri, ýarymgeçiriji fablardaky arassa otaglar ýaly ýokary gözegçilik edilýän gurşawy talap edýän pudaklar üçin has möhümdir. Mundan başga-da, “Silikon Film” önümçilik wagtynda wafli netijeli işlemek we daşamak üçin kaseta ulgamlaryna birleşdirilip bilner.

Uzak möhletli ygtybarlylyk we yzygiderlilik

“Semicera” -nyň kremniý filmini ulanmagyň esasy artykmaçlyklaryndan biri, uzak möhletli ygtybarlylygydyr. Ajaýyp berkligi we yzygiderli hili bilen bu film ýokary göwrümli önümçilik gurşawy üçin ygtybarly çözgüt hödürleýär. Highokary takyk ýarymgeçiriji enjamlarda ýa-da ösen elektroniki programmalarda ulanylýandygyna garamazdan, “Semicera” -nyň kremniy filmi öndürijileriň önümleriň giň toplumynda ýokary öndürijilik we ygtybarlylyk gazanmagyny üpjün edýär.

Näme üçin Semiceranyň kremniý filmini saýlamaly?

Ecearymgeçirijiden gelen kremniý filmi ýarymgeçiriji pudagynda iň möhüm programmalar üçin möhüm materialdyr. Ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, ýokary arassalygy we mehaniki güýji ýaly ýokary öndürijilik aýratynlyklary, ýarymgeçiriji önümçiliginde iň ýokary standartlara ýetmek isleýän öndürijiler üçin iň amatly saýlawy edýär. “Si Wafer” we “SiC Substrate” -den “Gallium Oxide Ga2O3” enjamlarynyň önümçiligine çenli bu film deňsiz-taýsyz hil we öndürijilik berýär.

“Semicera” -nyň kremniy filmi bilen, häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň zerurlyklaryny kanagatlandyrýan önüme, indiki nesil elektronikasy üçin ygtybarly binýady üpjün edip bilersiňiz.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: