“Semicera” tarapyndan döredilen kremniý filmi, ýarymgeçiriji pudagynyň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin döredilen ýokary hilli, takyk işlenip taýýarlanan materialdyr. Arassa kremniden öndürilen bu inçe film çözgüdi ajaýyp birmeňzeşligi, ýokary arassalygy we ajaýyp elektrik we ýylylyk aýratynlyklaryny hödürleýär. Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate we Epi-Wafer ýaly dürli ýarymgeçiriji programmalarda ulanmak üçin amatly. “Semicera” -nyň kremniy filmi ygtybarly we yzygiderli öndürijiligi üpjün edýär we ony ösen mikroelektronika üçin möhüm material edýär.
Ondarymgeçiriji öndürmek üçin ýokary hil we öndürijilik
“Semicera” kremniý filmi ajaýyp mehaniki güýji, ýokary ýylylyk durnuklylygy we pes kemçilik derejesi bilen tanalýar, bularyň hemmesi ýokary öndürijilikli ýarymgeçirijileriň ýasalmagynda möhüm ähmiýete eýe. “Gallium Oxide” (Ga2O3) enjamlarynyň, “AlN Wafer” ýa-da “Epi-Wafers” önümçiliginde ulanylsa-da, film inçe filmleriň çökmegi we epitaksial ösmegi üçin berk binýady üpjün edýär. SiC Substrate we SOI Wafers ýaly beýleki ýarymgeçiriji substratlar bilen utgaşyklygy, ýokary hasyllylygy we önümiň yzygiderli hilini saklamaga kömek edip, bar bolan önümçilik proseslerine bökdençsiz birleşmegi üpjün edýär.
Ondarymgeçiriji pudagynda goýmalar
Icarymgeçiriji pudagynda “Semicera” -nyň kremniy filmi “Si Wafer” we “SOI Wafer” -iň önümçiliginden “SiN Substrate” we “Epi-Wafer” ýaly has ýöriteleşdirilen ulanyşlara çenli köp sanly programmada ulanylýar. Bu filmiň ýokary arassalygy we takyklygy mikroprosessorlardan we integral zynjyrlardan optoelektron enjamlaryna çenli hemme zatda ulanylýan ösen komponentleri öndürmekde möhüm ähmiýete eýe bolýar.
Silikon filmi epitaksial ösüş, wafli baglanyşyk we inçe film çökdürmek ýaly ýarymgeçiriji proseslerde möhüm rol oýnaýar. Ygtybarly häsiýetleri, ýarymgeçiriji fablardaky arassa otaglar ýaly ýokary gözegçilik edilýän gurşawy talap edýän pudaklar üçin has möhümdir. Mundan başga-da, “Silikon Film” önümçilik wagtynda wafli netijeli işlemek we daşamak üçin kaseta ulgamlaryna birleşdirilip bilner.
Uzak möhletli ygtybarlylyk we yzygiderlilik
“Semicera” -nyň kremniý filmini ulanmagyň esasy artykmaçlyklaryndan biri, uzak möhletli ygtybarlylygydyr. Ajaýyp berkligi we yzygiderli hili bilen bu film ýokary göwrümli önümçilik gurşawy üçin ygtybarly çözgüt hödürleýär. Highokary takyk ýarymgeçiriji enjamlarda ýa-da ösen elektroniki programmalarda ulanylýandygyna garamazdan, “Semicera” -nyň kremniy filmi öndürijileriň önümleriň giň toplumynda ýokary öndürijilik we ygtybarlylyk gazanmagyny üpjün edýär.
Näme üçin Semiceranyň kremniý filmini saýlamaly?
Ecearymgeçirijiden gelen kremniý filmi ýarymgeçiriji pudagynda iň möhüm programmalar üçin möhüm materialdyr. Ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, ýokary arassalygy we mehaniki güýji ýaly ýokary öndürijilik aýratynlyklary, ýarymgeçiriji önümçiliginde iň ýokary standartlara ýetmek isleýän öndürijiler üçin iň amatly saýlawy edýär. “Si Wafer” we “SiC Substrate” -den “Gallium Oxide Ga2O3” enjamlarynyň önümçiligine çenli bu film deňsiz-taýsyz hil we öndürijilik berýär.
“Semicera” -nyň kremniy filmi bilen, häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň zerurlyklaryny kanagatlandyrýan önüme, indiki nesil elektronikasy üçin ygtybarly binýady üpjün edip bilersiňiz.
Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
Kristal parametrler | |||
Politip | 4H | ||
Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
Elektrik parametrleri | |||
Dopant | n görnüşli azot | ||
Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
Mehaniki parametrler | |||
Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
Ikinji kwartira | Hiç | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Gurluşy | |||
Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
Öň hili | |||
Öň tarapy | Si | ||
Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
Öňki lazer belligi | Hiç | ||
Yzky hil | |||
Yzyna | C ýüzli CMP | ||
Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
Gyrasy | |||
Gyrasy | Çamfer | ||
Gaplamak | |||
Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. |