Haryt barada umumy maglumat
TheSilikon bilen emdirilen kremniy karbid (SiC) paddle we wafer daşaýjyýarymgeçiriji ýylylyk gaýtadan işleýiş programmalarynyň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin işlenip düzülendir. Highokary arassalykly SiC-den ýasalan we kremniniň emdirilmegi arkaly güýçlendirilen bu önüm ýokary temperatura öndürijiliginiň, ajaýyp ýylylyk geçirijiliginiň, poslama garşylygy we ajaýyp mehaniki güýjüniň ajaýyp kombinasiýasyny hödürleýär.
Öňdebaryjy material ylymlaryny takyk önümçilik bilen birleşdirip, bu çözgüt ýarymgeçiriji öndürijiler üçin has ýokary öndürijiligi, ygtybarlylygy we çydamlylygy üpjün edýär.
Esasy aýratynlyklary
1.Adatdan daşary ýokary temperatura garşylyk
Eriş nokady 2700 ° C-den ýokary bolsa, SiC materiallary aşa yssyda durnukly bolýar. Silikon emdirmek, ýylylyk durnuklylygyny hasam güýçlendirýär, gurluşyň gowşamagyndan ýa-da öndürijiliginiň peselmeginden ýokary temperaturanyň uzak wagtlap täsirine garşy durmaga mümkinçilik berýär.
2.Iň ýokary ýylylyk geçirijiligi
Silikon bilen emdirilen SiC-iň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, ýylylyk stresini azaltmak bilen birmeňzeş ýylylyk paýlanyşyny üpjün edýär. Bu häsiýet enjamlaryň ömrüni uzaldýar we önümçiligiň iş wagtyny azaldýar, ýokary temperaturaly termiki gaýtadan işlemek üçin amatly edýär.
3.Okislenme we poslama garşylyk
Ygtybarly kremniniň oksidi gatlagy, tebigy ýagdaýda emele gelýär we okislenmä we poslama garşy ajaýyp garşylygy üpjün edýär. Bu, materialy we daş-töweregi komponentleri gorap, agyr iş şertlerinde uzak möhletli ygtybarlylygy üpjün edýär.
4.Meokary mehaniki güýç we geýmäge garşylyk
Silikon bilen emdirilen SiC ajaýyp gysyjy güýç we köýnek garşylygy, ýokary ýükli, ýokary temperatura şertlerinde gurluş bitewiligini saklaýar. Bu, ulanyş siklleriniň yzygiderli işlemegini üpjün edip, könelmek bilen baglanyşykly zeper töwekgelçiligini azaldar.
Aýratynlyklary
| Haryt ady | SC-RSiC-Si |
| Material | Silikon emdirmek Silikon karbid kompakt (ýokary arassalyk) |
| Goýmalar | Ondarymgeçirijiniň ýylylygy bejermek bölekleri, ýarymgeçiriji önümçilik enjamlary bölekleri |
| Eltip beriş formasy | Galypdan ýasalan beden (Sintirlenen beden) |
| Kompozisiýa | Mehaniki eýeçilik | Youngaş modul (GPa) | Egilmek güýji (MPa) | ||
| Kompozisiýa (vol%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800 ° C. | 360 | 220 | |
| Köp dykyzlygy (kg / m³) | 3.02 x 103 | 1200 ° C. | 340 | 220 | |
| Atylylyk geçirmeýän temperatura ° C. | 1350 | Poissonyň gatnaşygy | 0.18 (RT) | ||
| Malylylyk eýeçiligi | Malylylyk geçirijiligi (W / (m · K)) | Aýratyn ýylylyk kuwwaty (kJ / (kg · K)) | Malylylyk giňeliş koeffisiýenti (1 / K) | ||
| RT | 220 | 0.7 | RT ~ 700 ° C. | 3.4 x 10-6 | |
| 700 ° C. | 60 | 1.23 | 700 ~ 1200 ° C. | 4.3 x10-6 | |
| Haramlyk mazmuny (ppm) | |||||||||||||
| Element | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Mazmuny | 3 | <2 | <0.5 | <0.1 | <1 | 5 | 0.3 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.3 | <0.3 | 25 |
Goýmalar
▪Ondarymgeçiriji ýylylyk gaýtadan işlemek:Himiki buglaryň çökmegi (CVD), epitaksial ulalmak we gyzdyrma ýaly prosesler üçin amatly, bu ýerde takyk temperatura gözegçilik we material berkligi möhümdir.
▪Wafli göterijiler we gaplar:Temperatureokary temperaturaly ýylylyk bejergisinde wafli ygtybarly saklamak we daşamak üçin niýetlenendir.
▪Örän amatly gurşaw: Heatylylyga, himiki täsirlere we mehaniki streslere garşylygy talap edýän sazlamalar üçin amatly.
Silikon bilen emdirilen SiC-iň artykmaçlyklary
Highokary arassa kremniy karbid bilen ösen kremniniň emdirmek tehnologiýasynyň utgaşmasy deňsiz-taýsyz öndürijilik berýär:
▪Takyklyk:Ondarymgeçirijini gaýtadan işlemegiň takyklygyny we gözegçiligini güýçlendirýär.
▪Durnuk:Işleýişine zyýan bermezden kyn şertlere çydam edýär.
▪Uzak ýaşamak:Ondarymgeçiriji önümçilik enjamlarynyň hyzmat möhletini uzaldýar.
▪Netijelilik:Ygtybarly we yzygiderli netijeleri üpjün etmek arkaly öndürijiligi ýokarlandyrýar.
Näme üçin kremniý bilen emdirilen SiC çözgütlerimizi saýlamaly?
At Icarym, ýarymgeçiriji öndürijileriň isleglerine laýyk gelýän ýokary öndürijilikli çözgütler bilen üpjün etmekde ýöriteleşýäris. Silikon bilen emdirilen Silikon Karbid Paddle we Wafer Carrier, önümçilik standartlaryna laýyk gelmek üçin berk synagdan we hil barlagyndan geçýär. “Semicera” -ny saýlamak bilen, önümçilik amallaryňyzy optimallaşdyrmak we önümçilik mümkinçilikleriňizi ýokarlandyrmak üçin döredilen iň täze materiallara girip bilersiňiz.
Tehniki aýratynlyklar
▪Material düzümi:Silikon emdirmek bilen ýokary arassa kremniy karbid.
▪Işleýiş temperatura aralygy:2700 ° C çenli.
▪ Malylylyk geçirijiligi:Bitewi ýylylyk paýlanyşy üçin aýratyn ýokary.
▪Garşylyk aýratynlyklary:Okislenme, poslama we aşaga çydamly.
▪Goýmalar:Dürli ýarymgeçiriji ýylylyk gaýtadan işleýiş ulgamlary bilen utgaşykly.
Biz bilen habarlaşyň
Ondarymgeçirijiniň önümçilik prosesini ýokarlandyrmaga taýynmy? HabarlaşyňIcarymSilikon bilen emdirilen Silikon Karbid Paddle we Wafer Carrier hakda has giňişleýin öwrenmek üçin şu gün.
▪E-poçta: sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com
▪Telefon: + 86-0574-8650 3783
▪Locationerleşýän ýeri:581958 Jiangnan ýoly, Ningbo ýokary tehnologiýa, Zhejiang welaýaty, 315201, Hytaý
