Izolýator wafli boýunça kremniý

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň “Silikon-on-izolýator” wafli ösen ýarymgeçiriji amaly programmalar üçin ýokary öndürijilikli çözgütleri üpjün edýär. MEMS, datçikler we mikroelektronika üçin iň amatly bu wafli ajaýyp elektrik izolýasiýasyny we pes parazit kuwwatyny üpjün edýär. “Semicera”, innowasiýa tehnologiýalarynyň birnäçesi üçin yzygiderli hil getirip, takyk önümçiligi üpjün edýär. Hytaýda uzak möhletli hyzmatdaş bolmagyňyza sabyrsyzlyk bilen garaşýarys.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Izolýator wafli boýunça kremniý“Semicera” -dan ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji çözgütlere barha artýan islegi kanagatlandyrmak üçin döredildi. SOI wafliimiz has ýokary elektrik öndürijiligini we parazit enjamynyň kuwwatyny peseldip, MEMS enjamlary, datçikler we integral zynjyrlar ýaly ösen programmalar üçin ideal edýär. “Semicera” -yň wafli önümçiligi boýunça tejribesi olaryň hersini üpjün edýärSOI wafliindiki nesil tehnologiýa zerurlyklary üçin ygtybarly, ýokary hilli netijeleri berýär.

BiziňkiIzolýator wafli boýunça kremniýçykdajylaryň netijeliligi bilen öndürijiligiň arasynda iň amatly deňagramlylygy teklip ediň. Soi wafli bahasynyň bäsdeşlige ukyply bolmagy bilen bu wafli mikroelektronika we optoelektronika ýaly birnäçe pudakda giňden ulanylýar. “Semicera” -nyň ýokary takyklyk önümçiligi, ýokary derejeli wafli baglanyşygyny we birmeňzeşligini kepillendirýär, olary SOI wafli boşlugyndan başlap, adaty kremniy wafli ýaly dürli amaly programmalar üçin amatly edýär.

Esasy aýratynlyklary:

MEMS we beýleki programmalarda işlemek üçin ýokary hilli SOI wafli optimallaşdyryldy.

Hiline zyýan bermezden ösen çözgütleri gözleýän kärhanalar üçin bäsdeşlik soi wafli.

Izolýator ulgamlarynda kremniniň güýçlendirilen elektrik izolýasiýasyny we netijeliligini hödürleýän iň täze tehnologiýalar üçin amatly.

BiziňkiIzolýator wafli boýunça kremniýýarymgeçiriji tehnologiýadaky indiki innowasiýa tolkunyny goldaýan ýokary öndürijilikli çözgütler bilen üpjün etmek üçin işlenip düzülendir. Boşlukda işleýärsiňizmiSOI wafli, MEMS enjamlary ýa-da izolýator komponentlerindäki kremniý, Semicera, pudakda iň ýokary standartlara laýyk gelýän wafli berýär.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: