Silikon Wafer

Gysga düşündiriş:

“Semicera Silikon Wafers” deňsiz-taýsyz arassalygy we takyklygy hödürleýän häzirki zaman ýarymgeçiriji enjamlaryň özenidir. Techokary tehnologiýaly pudaklaryň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin döredilen bu wafli ygtybarly öndürijiligi we yzygiderli hili üpjün edýär. Iň täze elektron programmalaryňyz we innowasion tehnologiýa çözgütleri üçin “Semicera” -a ynanyň.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera Silikon Wafers” mikroprosessorlardan fotowoltaik öýjüklerine çenli ýarymgeçiriji enjamlaryň köpüsi üçin esas bolup hyzmat etmek üçin oýlanyşykly ýasaldy. Bu wafli ýokary takyklyk we arassalyk bilen işlenip, dürli elektron programmalarynda amatly öndürijiligi üpjün edýär.

Öňdebaryjy usullary ulanmak bilen öndürilen “Semicera Silikon Wafers” ýarymgeçiriji önümçiliginde ýokary hasyl almak üçin möhüm ähmiýete eýe bolan ajaýyp tekizligi we birmeňzeşligi görkezýär. Bu takyklyk derejesi kemçilikleri azaltmaga we elektron bölekleriniň umumy netijeliligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.

“Semicera Silikon Wafers” -iň ýokary hili, ýarymgeçiriji enjamlaryň işleýşine goşant goşýan elektrik aýratynlyklarynda aýdyň görünýär. Hapalygyň pesligi we ýokary hrustal hili bilen bu wafli ýokary öndürijilikli elektronikany ösdürmek üçin amatly platforma üpjün edýär.

Dürli ululykda we aýratynlyklarda bar bolan “Semicera Silikon Wafers”, hasaplaýyş, telekommunikasiýa we täzelenip bilýän energiýa ýaly dürli pudaklaryň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyryp biler. Uly göwrümli önümçilik ýa-da ýöriteleşdirilen gözlegler üçin bolsun, bu wafli ygtybarly netijeleri berýär.

“Semicera”, ýokary senagat standartlaryna laýyk gelýän ýokary hilli kremniy wafli bilen üpjün etmek arkaly ýarymgeçiriji pudagynyň ösüşini we täzeligini goldamagy maksat edinýär. Takyklyga we ygtybarlylyga ünsi jemläp, “Semicera” öndürijilere önümleriniň bazaryň başynda durmagyny üpjün edip, tehnologiýanyň çäklerini öňe sürmäge mümkinçilik berýär.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: