SiN keramika düzlük substratlary

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň “SiN keramika düzlük substratlary” ýokary islegli programmalar üçin ajaýyp ýylylyk we mehaniki öndürijiligi üpjün edýär. Iň ýokary berklik we ygtybarlylyk üçin döredilen bu substratlar ösen elektron enjamlary üçin amatlydyr. Islegleriňize laýyk gelýän ýokary hilli SiN keramiki çözgütleri üçin Semicera saýlaň.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -nyň “SiN keramika düzlük substratlary” dürli elektron we önümçilik goşundylary üçin ýokary öndürijilikli çözgüt hödürleýär. Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we mehaniki güýji bilen tanalýan bu substratlar talap edilýän şertlerde ygtybarly işlemegi üpjün edýär.

SiN (Silikon Nitride) keramika aşa ýokary temperatura we ýokary stres şertlerini dolandyrmak üçin döredilip, olary ýokary güýçli elektronika we ösen ýarymgeçiriji enjamlar üçin amatly edýär. Olaryň termiki zarba çydamlylygy we ygtybarlylygy, ygtybarlylygy we öndürijiligi möhüm bolan programmalarda ulanmak üçin ideal edýär.

“Semicera” -yň takyk önümçilik amallary, her bir ýönekeý substratyň berk hil standartlaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Bu, elektron gurnamalarda we ulgamlarda iň oňat öndürijilige ýetmek üçin zerur bolan yzygiderli galyňlygy we ýerüsti hili bolan substratlary döredýär.

Malylylyk we mehaniki artykmaçlyklaryndan başga-da, SiN keramika düzlük substratlary ajaýyp elektrik izolýasiýa aýratynlyklaryny hödürleýär. Bu iň az elektrik päsgelçiligini üpjün edýär we elektron bölekleriniň umumy durnuklylygyna we netijeliligine goşant goşýar, iş möhletini ýokarlandyrýar.

“Semicera” -nyň “SiN keramika düzlük substratlaryny” saýlamak bilen, ösen material ylymlaryny ýokary derejeli önümçilik bilen birleşdirýän önüm saýlaýarsyňyz. Hil we innowasiýa baradaky ygrarlylygymyz, iň ýokary pudak standartlaryna laýyk gelýän we ösen tehnologiýa taslamalaryňyzyň üstünliklerini goldaýan substratlary almagyňyzy kepillendirýär.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: