“Semicera” -nyň “SiN keramika düzlük substratlary” dürli elektron we önümçilik goşundylary üçin ýokary öndürijilikli çözgüt hödürleýär. Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we mehaniki güýji bilen tanalýan bu substratlar talap edilýän şertlerde ygtybarly işlemegi üpjün edýär.
SiN (Silikon Nitride) keramika aşa ýokary temperatura we ýokary stres şertlerini dolandyrmak üçin döredilip, olary ýokary güýçli elektronika we ösen ýarymgeçiriji enjamlar üçin amatly edýär. Olaryň termiki zarba çydamlylygy we ygtybarlylygy, ygtybarlylygy we öndürijiligi möhüm bolan programmalarda ulanmak üçin ideal edýär.
“Semicera” -yň takyk önümçilik amallary, her bir ýönekeý substratyň berk hil standartlaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Bu, elektron gurnamalarda we ulgamlarda iň oňat öndürijilige ýetmek üçin zerur bolan yzygiderli galyňlygy we ýerüsti hili bolan substratlary döredýär.
Malylylyk we mehaniki artykmaçlyklaryndan başga-da, SiN keramika düzlük substratlary ajaýyp elektrik izolýasiýa aýratynlyklaryny hödürleýär. Bu iň az elektrik päsgelçiligini üpjün edýär we elektron bölekleriniň umumy durnuklylygyna we netijeliligine goşant goşýar, iş möhletini ýokarlandyrýar.
“Semicera” -nyň “SiN keramika düzlük substratlaryny” saýlamak bilen, ösen material ylymlaryny ýokary derejeli önümçilik bilen birleşdirýän önüm saýlaýarsyňyz. Hil we innowasiýa baradaky ygrarlylygymyz, iň ýokary pudak standartlaryna laýyk gelýän we ösen tehnologiýa taslamalaryňyzyň üstünliklerini goldaýan substratlary almagyňyzy kepillendirýär.
Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
Kristal parametrler | |||
Politip | 4H | ||
Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
Elektrik parametrleri | |||
Dopant | n görnüşli azot | ||
Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
Mehaniki parametrler | |||
Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
Ikinji kwartira | Hiç | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Gurluşy | |||
Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
Öň hili | |||
Öň tarapy | Si | ||
Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
Öňki lazer belligi | Hiç | ||
Yzky hil | |||
Yzyna | C ýüzli CMP | ||
Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
Gyrasy | |||
Gyrasy | Çamfer | ||
Gaplamak | |||
Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. |