SiN substratlary

Gysga düşündiriş:

“Semicera” tarapyndan döredilen “SiN substratlar” ýarymgeçiriji önümçiligi we mikroelektronika boýunça ösen programmalar üçin döredildi. Ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, ýokary arassalygy we berkligi bilen tanalýan bu substratlar ýokary öndürijilikli elektron böleklerini we optiki enjamlary goldamak üçin amatlydyr. “Semicera” -yň “SiN Substrates”, talap edilýän şertlerde enjamyň işleýşini ýokarlandyryp, inçe film programmalary üçin ygtybarly esas döredýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -yň “SiN Substrates” ygtybarlylygy, ýylylyk durnuklylygy we maddy arassalygy zerur bolan häzirki ýarymgeçiriji pudagynyň berk standartlaryna laýyk gelýär. Ajaýyp könelişme garşylygy, ýokary ýylylyk durnuklylygy we ýokary arassalygy üpjün etmek üçin öndürilen Semicera-nyň SiN Substrates dürli talap edilýän programmalarda ygtybarly çözgüt bolup hyzmat edýär. Bu substratlar ösen ýarymgeçirijini gaýtadan işlemekde takyk öndürijiligi goldaýar, köp mikroelektronika we ýokary öndürijilikli enjam programmalary üçin ideal edýär.

SiN substratlarynyň esasy aýratynlyklary
“Semicera” -nyň “SiN Substrates” ýokary temperatura şertlerinde ajaýyp berkligi we çydamlylygy bilen tapawutlanýar. Adatdan daşary könelişme garşylygy we ýokary ýylylyk durnuklylygy, öndürijilik peselmezden çylşyrymly önümçilik proseslerine çydamaga mümkinçilik berýär. Bu substratlaryň ýokary arassalygy hapalanmak töwekgelçiligini hem peseldýär, möhüm inçe filmler üçin durnukly we arassa binýady üpjün edýär. Bu, SiN Substrates-i ygtybarly we yzygiderli çykyş üçin ýokary hilli material talap edýän şertlerde ileri tutulýan saýlama edýär.

Ondarymgeçiriji pudagynda goýmalar
Ondarymgeçiriji pudagynda SiN Substrates köp önümçilik tapgyrlarynda möhümdir. Dürli materiallary goldamakda we izolýasiýa etmekde möhüm rol oýnaýarlarSi Wafer, SOI Wafer, weSiC Substratetehnologiýalary. Semicera'sSiN substratlaryEsasanam köp gatlakly gurluşlarda esasy gatlak ýa-da izolýasiýa gatlagy hökmünde ulanylanda enjamyň durnukly işlemegine goşant goşuň. Mundan başga-da, SiN Substrates ýokary hilli mümkinçilik berýärEpi-Waferepitaksial prosesler üçin ygtybarly, durnukly ýer bilen üpjün etmek, mikroelektronika we optiki komponentler ýaly takyk gatlagy talap edýän programmalar üçin bahasyna ýetip bolmajak ösüş.

Ösüp barýan material synagy we ösüşi üçin köpugurlylyk
“Semicera” -yň “SiN Substrates”, “Gallium Oxide Ga2O3” we “AlN Wafer” ýaly täze materiallary barlamak we ösdürmek üçin köp taraplydyr. Bu substratlar ýokary güýçli we ýokary ýygylykly enjamlaryň geljegi üçin möhüm bolan bu ýüze çykýan materiallaryň öndürijilik aýratynlyklaryny, durnuklylygyny we laýyklygyny bahalandyrmak üçin ygtybarly synag platformasyny hödürleýär. Mundan başga-da, “Semicera” -nyň SiN substratlary kaset ulgamlary bilen utgaşykly bolup, awtomatiki önümçilik liniýalarynda howpsuz işlemäge we daşamaga mümkinçilik berýär, şeýlelik bilen köpçülikleýin önümçilik şertlerinde netijeliligi we yzygiderliligi goldaýar.

Temperatureokary temperaturaly şertlerde, ösen gözleg we geljekki nesil ýarymgeçiriji materiallaryň önümçiliginde bolsun, Semicera-nyň SiN substratlary ygtybarlylygy we uýgunlaşmagy üpjün edýär. Ajaýyp könelişme garşylygy, ýylylyk durnuklylygy we arassalygy bilen, Semicera-nyň SiN substratlary ýarymgeçirijiniň ýasalyşynyň dürli tapgyrlarynda öndürijiligi gowulandyrmagy we hilini saklamagy maksat edinýän öndürijiler üçin aýrylmaz saýlawdyr.

Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: