Izolýatorda SOI wafer kremniý

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -yň SOI wafli (“Silikon On izolýator”) ýarymgeçiriji goşundylary üçin ajaýyp elektrik izolýasiýasyny we öndürijiligini üpjün edýär. Iň ýokary ýylylyk we elektrik netijeliligi üçin işlenip düzülen bu wafli ýokary öndürijilikli integral zynjyrlar üçin amatlydyr. SOI wafer tehnologiýasynda hil we ygtybarlylyk üçin Semicera saýlaň.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera” -yň SOI wafli (Silikon On izolýator) ýokary elektrik izolýasiýasyny we ýylylyk öndürijiligini üpjün etmek üçin niýetlenendir. Izolýasiýa gatlagynda kremniý gatlagyny öz içine alýan bu innowasiýa wafli gurluşy, enjamyň öndürijiligini ýokarlandyrmagy we kuwwat sarp edilmegini üpjün edýär, bu dürli ýokary tehnologiýaly programmalar üçin ideal bolýar.

SOI wafli, parazit kuwwatyny azaltmak we enjamyň tizligini we netijeliligini ýokarlandyrmak arkaly integral zynjyrlar üçin ajaýyp peýdalary hödürleýär. Bu häzirki zaman elektronikasy üçin örän möhümdir, bu ýerde ýokary öndürijilik we energiýa netijeliligi sarp edijiler we önümçilik goşundylary üçin zerurdyr.

“Semicera” yzygiderli hil we ygtybarly SOI wafli öndürmek üçin ösen önümçilik usullaryny ulanýar. Bu wafli ajaýyp ýylylyk izolýasiýasyny üpjün edýär, olary ýokary dykyzlykly elektron enjamlarynda we güýç dolandyryş ulgamlary ýaly ýylylygyň ýaýramagynyň aladasy bolan ýerlerde ulanmak üçin amatly edýär.

Oarymgeçiriji önümçiliginde SOI wafli ulanmak has kiçi, has çalt we ygtybarly çipleri ösdürmäge mümkinçilik berýär. “Semicera” -nyň takyk in engineeringenerlige ygrarlylygy, SOI wafli telekommunikasiýa, awtoulag we sarp ediş elektronikasy ýaly pudaklarda iň täze tehnologiýalar üçin zerur bolan ýokary standartlara laýyk gelmegini üpjün edýär.

“Semicera” -nyň SOI Waferini saýlamak, elektron we mikroelektron tehnologiýalarynyň ösmegini goldaýan önüme maýa goýmagy aňladýar. Wafli, ýokary öndürijilikli we berkligi üpjün etmek, ýokary tehnologiýaly taslamalaryňyzyň üstünlik gazanmagyna goşant goşmak we innowasiýalaryň başynda durmagyňyzy üpjün etmek üçin döredildi.

Harytlar

Önümçilik

Gözleg

Dummy

Kristal parametrler

Politip

4H

Faceerüsti ugrukdyryş säwligi

<11-20> 4 ± 0,15 °

Elektrik parametrleri

Dopant

n görnüşli azot

Çydamlylyk

0.015-0.025ohm · sm

Mehaniki parametrler

Diametri

150.0 ± 0,2mm

Galyňlyk

350 ± 25 μm

Esasy tekiz ugry

[1-100] ± 5 °

Esasy tekiz uzynlyk

47.5 ± 1,5mm

Ikinji kwartira

Hiç

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Öň (Si-face) gödeklik (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Gurluşy

Mikrop turbanyň dykyzlygy

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

Metal hapalar

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

≤500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

Öň hili

Öň tarapy

Si

Faceerüsti gutarmak

Si-ýüzli CMP

Bölejikler

≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm)

NA

Dyrnaklar

≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter

Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma

Hiç

NA

Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka

Hiç

Polip görnüşleri

Hiç

Jemi meýdany≤20%

Jemi meýdany ≤30%

Öňki lazer belligi

Hiç

Yzky hil

Yzyna

C ýüzli CMP

Dyrnaklar

≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri

NA

Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler)

Hiç

Yzky gödeklik

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Yzky lazer belligi

1 mm (ýokarky gyradan)

Gyrasy

Gyrasy

Çamfer

Gaplamak

Gaplamak

Wakuum gaplamak bilen epi taýýar

Köp wafli kaseta gaplamasy

* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez.

tech_1_2_size
SiC wafli

  • Öňki:
  • Indiki: