“Semicera” -yň SOI wafli (Silikon On izolýator) ýokary elektrik izolýasiýasyny we ýylylyk öndürijiligini üpjün etmek üçin niýetlenendir. Izolýasiýa gatlagynda kremniý gatlagyny öz içine alýan bu innowasiýa wafli gurluşy, enjamyň öndürijiligini ýokarlandyrmagy we kuwwat sarp edilmegini üpjün edýär, bu dürli ýokary tehnologiýaly programmalar üçin ideal bolýar.
SOI wafli, parazit kuwwatyny azaltmak we enjamyň tizligini we netijeliligini ýokarlandyrmak arkaly integral zynjyrlar üçin ajaýyp peýdalary hödürleýär. Bu häzirki zaman elektronikasy üçin örän möhümdir, bu ýerde ýokary öndürijilik we energiýa netijeliligi sarp edijiler we önümçilik goşundylary üçin zerurdyr.
“Semicera” yzygiderli hil we ygtybarly SOI wafli öndürmek üçin ösen önümçilik usullaryny ulanýar. Bu wafli ajaýyp ýylylyk izolýasiýasyny üpjün edýär, olary ýokary dykyzlykly elektron enjamlarynda we güýç dolandyryş ulgamlary ýaly ýylylygyň ýaýramagynyň aladasy bolan ýerlerde ulanmak üçin amatly edýär.
Oarymgeçiriji önümçiliginde SOI wafli ulanmak has kiçi, has çalt we ygtybarly çipleri ösdürmäge mümkinçilik berýär. “Semicera” -nyň takyk in engineeringenerlige ygrarlylygy, SOI wafli telekommunikasiýa, awtoulag we sarp ediş elektronikasy ýaly pudaklarda iň täze tehnologiýalar üçin zerur bolan ýokary standartlara laýyk gelmegini üpjün edýär.
“Semicera” -nyň SOI Waferini saýlamak, elektron we mikroelektron tehnologiýalarynyň ösmegini goldaýan önüme maýa goýmagy aňladýar. Wafli, ýokary öndürijilikli we berkligi üpjün etmek, ýokary tehnologiýaly taslamalaryňyzyň üstünlik gazanmagyna goşant goşmak we innowasiýalaryň başynda durmagyňyzy üpjün etmek üçin döredildi.
Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
Kristal parametrler | |||
Politip | 4H | ||
Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
Elektrik parametrleri | |||
Dopant | n görnüşli azot | ||
Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
Mehaniki parametrler | |||
Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
Ikinji kwartira | Hiç | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Gurluşy | |||
Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
Öň hili | |||
Öň tarapy | Si | ||
Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
Öňki lazer belligi | Hiç | ||
Yzky hil | |||
Yzyna | C ýüzli CMP | ||
Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
Gyrasy | |||
Gyrasy | Çamfer | ||
Gaplamak | |||
Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
* Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. |