TaC örtülen çuň UV LED MOCVD grafit duýgurlygy

TaC örtülen çuň UV LED MOCVD grafit duýgurly aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Semicera tarapyndan öndürilen TaC örtülen çuň UV LED MOCVD grafit suseptory, MOCVD epitaksiýa programmalarynda has ýokary öndürijilik üçin niýetlenendir. Hytaýda öndürilen, güýçlendirilen çydamlylygy we has ýokary temperatura garşylygy hödürleýär we talap edilýän şertler üçin amatly edýär. Semicera-nyň ösen örtük tehnologiýasy, ýokary hilli Deep UV LED önümçiligini goldaýan ygtybarly we täsirli işlemegi üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

TaC örtükliçuňňur ultramelewşe LED grafit bazasy, a goýmak arkaly enjamyň işleýşini we durnuklylygyny ýokarlandyrmak prosesine degişlidirTaC örtükçuň ultramelewşe LED enjamy taýýarlanylanda grafit bazasynda. Bu örtük, ýylylygyň ýaýramagynyň netijeliligini, ýokary temperatura garşylygy we enjamyň okislenme garşylygyny ýokarlandyryp biler we şeýlelik bilen LED enjamynyň netijeliligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyryp biler. Çuň ultramelewşe LED enjamlary, adatça enjamyň durnuklylygy we işleýşi üçin ýokary talaplary bolan dezinfeksiýa, ýeňil bejeriş we ş.m. ýaly käbir ýörite meýdanlarda ulanylýar. ProgrammaTaC örtülen grafitEsasy ultramelewşe LED tehnologiýasynyň ösmegine möhüm goldaw berip, enjamyň berkligini we öndürijiligini netijeli ýokarlandyryp biler.

“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.

Efficiencyokary netijelilik tantal karbid örtügi_ senagat önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaldýar Aýratyn surat

Singleeke kristalyň ösüşi üçin tak bölegi

Antiwear tantal karbid örtügi_ Enjamlary könelmekden we poslama garşy Aýratyn şekil

TaC örtükli ýüzükli grafit

bilen we TaC bilen

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary: