TaC örtükli epi wafli daşaýjy

TaC örtülen Epi Wafer daşaýjy aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

“Semicera” tarapyndan öndürilen “TaC Coated Epi Wafer Carrier” epitaksial proseslerde has ýokary öndürijilik üçin döredildi. Tantal karbid örtügi ajaýyp berkligi we ýokary temperatura durnuklylygyny hödürleýär, iň oňat wafli goldawyny we önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrýar. “Semicera” -yň takyk önümçiligi ýarymgeçiriji programmalarynda yzygiderli hil we ygtybarlylygy kepillendirýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

TaC örtülen epitaksial wafli göterijilerköplenç ýokary öndürijilikli optoelektron enjamlaryny, güýç enjamlaryny, datçikleri we beýleki meýdanlary taýýarlamakda ulanylýar. Buepitaksial wafli göterijigoýulmagyna degişlidirTaCKristal ösüş prosesinde substratdaky inçe film, soňraky enjam taýýarlamak üçin aýratyn gurluşy we öndürijiligi bilen wafli emele getirýär.

Adatça taýýarlamak üçin himiki buglary çökdürmek (CVD) tehnologiýasy ulanylýarTaC örtülen epitaksial wafli göterijiler. Metal organiki prekursorlara we uglerod çeşme gazlaryna ýokary temperaturada reaksiýa bermek bilen, kristal substratyň üstünde TaC filmi goýulyp bilner. Bu film ajaýyp elektrik, optiki we mehaniki aýratynlyklara eýe bolup, dürli ýokary öndürijilikli enjamlary taýýarlamak üçin amatlydyr.

“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.

Efficiencyokary netijelilik tantal karbid örtügi_ senagat önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaldýar Aýratyn surat

Singleeke kristalyň ösüşi üçin tak bölegi

Antiwear tantal karbid örtügi_ Enjamlary könelmekden we poslama garşy Aýratyn şekil

TaC örtükli ýüzükli grafit

bilen we TaC bilen

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary: