TaC örtülen grafit gollanma halkalaryinçe gatlagyň çökmegine serediňtantal karbidikönelmegine garşylygy, ýokary temperatura garşylygy we himiki durnuklylygy gowulandyrmak üçin grafit gollanma halkasynyň üstünde. Bu örtük, adatça, fiziki bug çökdürilmegi (PVD) ýa-da himiki bug çökdürilmegi (CVD) ýaly usullar bilen grafit gollanma halkasynyň üstünde emele gelýär.
“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.
TaC bilen örtülen grafit gollanma halkalarynyň esasy aýratynlyklary:
1. temperatureokary temperatura garşylyk: TaC örtügi ýokary temperatura durnuklylygyna eýe we ýokary temperatura şertlerinde durnuklylygy saklap biler.
2. Geýmäge garşylyk: Tantal karbid inçe gatlagynyň ýokary gatylygy, gollanma halkasyna gowy aşaga garşylyk berýär we hyzmat möhletini uzaldýar.
3. Himiki durnuklylyk: TaC örtügi himiki poslama garşy ýokary durnuklylyga eýe bolup, ony käbir poslaýjy serişdelerde ulanmak üçin amatly edýär.
4. Sürtülmäni azaltmak: TaC örtügi grafit gollanma halkasy bilen beýleki bölekleriň arasyndaky sürtülmäni netijeli azaldyp, mehaniki möhürleriň netijeliligini ýokarlandyryp biler.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
