TaC MOCVD grafit duýgurlygy

Gysga düşündiriş:

Semicera tarapyndan döredilen TaC örtükli MOCVD grafit duýgurlygy ýokary çydamlylyk we ajaýyp ýokary temperatura garşylygy üçin döredilip, ony MOCVD epitaksi programmalary üçin ajaýyp edýär. Bu duýgur çuň UV LED önümçiliginde netijeliligi we hilini ýokarlandyrýar. Takyklyk bilen öndürilen “Semicera”, her önümde ýokary derejeli öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün edýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

 TaC örtükadatça metal organiki himiki bug buglaýyş (MOCVD) tehnologiýasy bilen grafit bazasynda taýýarlanylýan möhüm material örtükdir. Bu örtük ýokary gatylyk, ajaýyp aşaga garşylyk, ýokary temperatura garşylyk we himiki durnuklylyk ýaly ajaýyp häsiýetlere eýedir we dürli isleg bildirýän in engineeringenerçilik goşundylary üçin amatlydyr.

MOCVD tehnologiýasy, adaty organiki prekursorlary ýokary temperaturada reaktiw gazlar bilen reaksiýa edip, islenýän birleşme filmi substratyň üstünde goýýan, köplenç ulanylýan inçe film ösüş tehnologiýasydyr. TaýýarlanylandaTaC örtük, degişli metal organiki prekursorlary we uglerod çeşmelerini saýlamak, reaksiýa şertlerine we çöketlik parametrlerine gözegçilik etmek, birmeňzeş we dykyz TaC filmi grafit bazasyna ýerleşdirilip bilner.

 

“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

 

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.

微信图片 _20240227150045

bilen we TaC bilen

微信图片 _20240227150053

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:

 
0 (1)
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
“Semicera” ammar jaýy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: