TaC örtükli plastinka, ýokary hilli grafit materiallaryndan takyklyk bilen ýasalan SiC epitaksial proseslerde ulanmak üçin niýetlenen ýöriteleşdirilen diskdir. Surfaceerüsti ajaýyp arassalygy we güýji bilen tanalýan birleşme tantal karbid (TaC) bilen örtülendir. TaC örtügi, plastinkanyň berkligini we ýokary temperatura garşy durnuklylygyny ýokarlandyrýar, SiC epitaksial prosesleriniň talap ediji şertleri üçin ideal edýär.
Bu innowasion TaC örtükli plastinka, ýokary hilli grafit materiallaryndan takyklyk bilen ýasalan SiC epitaksial proseslerde ulanmak üçin niýetlenen ýöriteleşdirilen diskdir. TaC örtülen plastinanyň üstü, ajaýyp arassalygy we güýji bilen tanalýan birleşme tantal karbid (TaC) bilen örtülendir. SiC epitaksial ösüşiniň dürli döwürlerinde wafli götermek üçin ygtybarly platforma bolup hyzmat edýär. Highokary arassa grafit bazasy durnukly we inert ýer bilen üpjün edýär, TaC örtügi bolsa himiki reaksiýalardan we könelmekden goşmaça gorag gatlagyny goşýar.
SemicdöwriTaC örtükli plastinka, müşderileriň aýratyn talaplaryna laýyklykda düzülip, iň oňat öndürijiligini we SiC epitaks ulgamlary bilen laýyklygyny üpjün edýär. Ululygy, görnüşi ýa-da beýleki aýratynlyklary bolsun, bu tabaklar her programmanyň özboluşly zerurlyklaryny kanagatlandyrýar.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
