Tantal karbid örtükli pyýada goldaw plastinasy

Gysga düşündiriş:

“Semicera” tarapyndan döredilen “Tantal Carbide Coated Susceptor Support Plate” kremniý karbid epitaksiýasynda we kristal ösmeginde ulanmak üçin niýetlenendir. Bu ösen prosesler üçin zerur bolan ýokary temperaturaly, poslaýjy ýa-da ýokary basyşly şertlerde durnukly goldaw berýär. Köplenç ýokary basyşly reaktorlarda, peç gurluşlarynda we himiki enjamlarda ulanylýar, ulgamyň işleýşini we durnuklylygyny üpjün edýär. “Semicera” -nyň innowasion örtük tehnologiýasy, in engineeringenerçilik programmalaryny talap etmek üçin ýokary hilli we ygtybarlylygy kepillendirýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tantal karbid bilen örtülen duýgurly goldaw plastinkasyinçe gatlak bilen örtülen duýgur ýa-da goldaw gurluşydyrtantal karbidi. Bu örtük, duýgur bugyň çökdürilmegi (PVD) ýa-da himiki bug çökdürilmegi (CVD) ýaly usullar bilen duýgurlygyň üstünde emele gelip, duýgurlyga ýokary häsiýetleri berýär.tantal karbidi.

“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.

Tantal karbid bilen örtülen esasy goldaw plitalarynyň esasy aýratynlyklary:

2. Poslama garşylyk: Tantal karbid örtügi gowy poslama garşylygy bar, himiki poslama we okislenmä garşy durup biler we bazanyň hyzmat möhletini uzaldyp biler.

3. Hardokary gatylyk we könelişme garşylygy: Tantal karbid örtüginiň ýokary gatylygy, esasy könelişme plastinkasyna gowy aşaga garşylyk berýär, bu ýokary könelişme garşylygy talap edýän ýagdaýlar üçin amatly.

4. Himiki durnuklylyk: Tantal karbidi dürli himiki maddalara ýokary durnuklylyga eýe bolup, örtülen esasy goldaw plastinkasyny käbir poslaýjy şertlerde gowy ýerine ýetirýär.

Efficiencyokary netijelilik tantal karbid örtügi_ senagat önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaldýar Aýratyn surat

Singleeke kristalyň ösüşi üçin tak bölegi

Antiwear tantal karbid örtügi_ Enjamlary könelmekden we poslama garşy Aýratyn şekil

TaC örtükli ýüzükli grafit

bilen we TaC bilen

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary: