“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Tantal karbid poslama garşy örtük halkalary, himiýa, nebit we gaz senagaty, elektron enjamlary, lukmançylyk enjamlary we ş.m. ýaly poslaýjy serişdeleri bar bolan dürli amaly ssenariýalarda giňden ulanylýar. Olar ygtybarly poslama goragy üpjün edýär, poslamagy azaldýar we böleklere zeper ýetirýär enjamlaryň hyzmat ediş möhleti we önümiň durnuklylygyny we ygtybarlylygyny üpjün etmek.
Tantal karbidiň poslama garşy örtük halkalarynyň aýratynlyklary aşakdakylar:
1.
2.
3. Pes sürtülme koeffisiýenti: Tantal karbid örtükleri pes sürtülme koeffisiýentine eýe bolup, örtük we beýleki materiallaryň arasynda sürtülme ýitgisini we energiýa sarp edilişini azaldýar.
4. hardokary gatylygy: Tantal karbid örtükleri gaty gatylyga eýe bolup, poslaýjy serişdeler arkaly çyzylmalara we materialyň ýüzüne zeper ýetmegine garşy durup biler.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
