Tantal Karbid MOCVD gyzdyryjy

Gysga düşündiriş:

“Semicera Tantalum Carbide MOCVD” gyzdyryjylar, 2300 ° C çenli aşa gyzgynlyga çydamly bolup, ösen prosesler üçin deňsiz-taýsyz ýylylyk öndürijiligini üpjün edýär. Ygtybarly 30 günlük gurşun wagty bilen, “Semicera” bu gyzdyryjylaryň ýokary hilli we netijeliligi üpjün etmegini üpjün edýär we olary önümçilik goşundylaryny talap etmek üçin ideal edýär.

 


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

IcarymTantal KarbidMOCVD gyzdyryjylar 2300 ° C çenli temperatura ýetmäge ukyply iň talap edilýän ýokary temperaturaly programmalar üçin gurlupdyr. Bu gyzdyryjylar metal-organiki himiki bug buglary (MOCVD) proseslerinde yzygiderli we ygtybarly öndürijiligi üpjün edip, ajaýyp ýylylyk durnuklylygyny üpjün edýär. “Semicera”, häzirki zaman pudaklarynyň isleglerini kanagatlandyrmak üçin çydamlylygy we takyklygy boýunça ýokary önümleri kepillendirýär.

Öňdebaryjy tantal karbid materiallaryny ulanmak bilen döredilen bu MOCVD gyzdyryjylar, hatda ýokary temperaturalarda-da okislenmä we himiki poslama garşy ajaýyp garşylygy hödürleýär. Bu çydamlylyk, ýarymgeçiriji önümçiligi, epitaksiýa we takyklygy we ygtybarlylygy talap edýän beýleki ýokary temperaturaly programmalar üçin iň gowy saýlawy edýär.

“Semicera” -nyň ýokary ýylylyk aýratynlyklaryTantal KarbidMOCVD gyzdyryjylar amatly proses netijeliligine goşant goşýarlar. Olaryň berk gurluşy, substratda birmeňzeş temperaturanyň paýlanyşyny üpjün edip, ýylylyk giňelmegini we ýylylygyň ýitmegini azaldýar. Bu önümiň hiliniň ýokarlanmagyna we amaly çykdajylaryň azalmagyna getirýär.

“Semicera” diňe bir önümçilik ülňülerine laýyk gelmän, eýsem ýokary derejedäki ýyladyjylary üpjün etmäge bagyşlanýar. Her biriTantal KarbidMOCVD gyzdyryjy iň ýokary öndürijiligi üpjün etmek üçin berk hil gözegçiligi çärelerini görýär. 30 günlük gurşun wagty bilen, Semicera häzirki zaman senagat amallary tarapyndan talap edilýän ygtybarlylygy we tizligi üpjün edýär.

Icarymgeçirijide, howa giňişliginde ýa-da material gözleg meýdançalarynda bolsun, SemiceraTantal KarbidMOCVD gyzdyryjylar ýokary temperaturaly proseslerde ýokary netijeleri gazanmak üçin çözgütdir. 2300 ° C-de ajaýyp öndürijiligi, takyklygy we çydamlylygy birinji orunda durýan programmalar üçin zerur bolýar.

 

 
微 信 图片 _20240227150045

bilen we TaC bilen

微 信 图片 _20240227150053

TaC ulanandan soň (sagda)

0 (1)
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
“Semicera” ammar jaýy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: