“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Tantal karbid planetar diskiniň iş prinsipi, planeta diski aralyk hereketlendiriji element hökmünde hereket edýär we içki we daşarky dişli enjamlar bilen birleşdirip, elektrik geçirişini we hereketi dolandyrmagy amala aşyrýan planetar dişli geçiriş prinsipine meňzeýär. Planeta diskinde, adatça geçiş we ýokary tork çykarylyşyny gazanmak üçin içki we daşarky dişli bilen birleşdirilen birnäçe diş çukurlary bar.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Tantal karbid planetar diskiniň aýratynlyklary aşakdakylar:
1.
2.
3. Pes sürtülme koeffisiýenti: Tantal karbidiň üstünde pes sürtülme koeffisiýenti bar, bu geçiş wagtynda energiýa ýitgisini we ýylylygy öndürmegi azaldýar we geçiriş netijeliligini ýokarlandyrýar.
4.
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
