“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Tantal karbidiň aşaga çydamly örtük halkalary, mehaniki möhürler, nasos ulgamlary, klapanlar, podşipnikler we kesiş gurallary ýaly dürli ýokary sürtülme we ýokary köýnekli ssenariýalarda giňden ulanylýar. Olar ygtybarly eşik goragyny üpjün edýär, könelmegi we komponentleriň zaýalanmagyny azaldýar, enjamlaryň ygtybarlylygyny we hyzmat möhletini ýokarlandyrýar.
Tantal karbidiň aşaga çydamly örtük halkalarynyň aýratynlyklary aşakdakylar:
1.
2. Pes sürtülme koeffisiýenti: Tantal karbid örtügi pes sürtülme koeffisiýentine eýe bolup, örtük we beýleki materiallaryň arasynda sürtülme ýitgisini we energiýa sarp edilişini azaldýar.
3. Poslama garşylyk: Tantal karbid örtügi dürli himiki maddalaryň we erginleriň eroziýasyna garşy durup biler, ajaýyp poslama garşylygy we poslaýjy şertlerde ulanmak üçin amatlydyr.
4.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
